期望拉大與競爭對手差距，三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash
作者 | 發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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期望拉大與競爭對手差距，三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash

就在日前，中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後，目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體，預計其對疊層數可高達 160 層，期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。

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