期望拉大與競爭對手差距,三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


就在日前,中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後,目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體,預計其對疊層數可高達 160 層,期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。