中美貿易戰下，中國記憶體商福建晉華，遭美國指控竊取商業機密，發展停擺。不過另一家記憶體商長江存儲似乎未受影響，今年底將如期量產 64 層 3D NAND flash。專家稱，量產後長江存儲和國外大廠的技術差距，將縮小至兩年。
日經新聞報導，長江存儲共同技術長 Chen Wei-Hua 在中國國際半導體技術大會場邊向日經新聞表示，該公司生產如期推進，和全球供應商的合作關係照舊。長江存儲接受中國政府「大基金」的資金挹注，正在湖北武漢打造價值 240 億美元的工廠（首圖），預定 2019 年底量產中國首次自行研發的 64 層 3D NAND Flash 晶片。64 層 3D NAND 是目前業界主流規格。
市場觀察家說，長江存儲是中國最有希望的記憶體業新星，不過 2019、2020 年對市場應該不會有太大影響。Bernstein Research 半導體分析師 Mark Li 說，中國多家記憶體業者中，長江存儲的製造技術根基或許最穩固，如果該公司 64 層 3D NAND 如期在 2019 下半年量產，長江存儲和國外領導廠商的技術差距，可望從落後 3、4 年，縮小至落後 2 年。
福建晉華的前車之鑑，讓長江存儲的 Chen 強調，公司不允許員工竊盜智慧財產權，或偷盜其他公司機密，他們要求所有人員簽署協定，不能把非法取得資料帶進公司。另外，近來記憶體供給過剩，價格跌不停，外界憂慮長江存儲將開出龐大產能，打壞市場。Chen 指出，公司不會大舉增產，讓記憶體供過於求。長江存儲執行長楊士寧（Simon Yang）去年 9 月也說，無意摧毀記憶體市場。
中國積極發展半導體，IC Insights 估計，今年全球預定有 9 家 12 吋（300mm）晶圓廠啟用，其中 5 家位於中國。
IC Insights 15 日新聞稿稱，12 吋晶圓是業界主流，2018 年全球 12 吋晶圓廠增加 7 家至 112 家。今年估計有 9 家新廠啟動，其中 5 家都在中國。一年 9 家 12 吋晶圓廠開業，為 2007 年來之最。另外，2020 年 12 吋晶圓廠估計再增 6 家。2019、2020 年新開設的 12 吋晶圓廠，皆用於生產 DRAM、Flash，或是晶圓代工。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：長江存儲）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
