長江存儲:64 層 NAND 年底如期量產!技術差或縮至 2 年

作者 | 發布日期 2019 年 03 月 22 日 12:00 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

中美貿易戰下,中國記憶體商福建晉華,遭美國指控竊取商業機密,發展停擺。不過另一家記憶體商長江存儲似乎未受影響,今年底將如期量產 64 層 3D NAND flash。專家稱,量產後長江存儲和國外大廠的技術差距,將縮小至兩年。

日經新聞報導,長江存儲共同技術長 Chen Wei-Hua 在中國國際半導體技術大會場邊向日經新聞表示,該公司生產如期推進,和全球供應商的合作關係照舊。長江存儲接受中國政府「大基金」的資金挹注,正在湖北武漢打造價值 240 億美元的工廠(首圖),預定 2019 年底量產中國首次自行研發的 64 層 3D NAND Flash 晶片。64 層 3D NAND 是目前業界主流規格。

市場觀察家說,長江存儲是中國最有希望的記憶體業新星,不過 2019、2020 年對市場應該不會有太大影響。Bernstein Research 半導體分析師 Mark Li 說,中國多家記憶體業者中,長江存儲的製造技術根基或許最穩固,如果該公司 64 層 3D NAND 如期在 2019 下半年量產,長江存儲和國外領導廠商的技術差距,可望從落後 3、4 年,縮小至落後 2 年。

福建晉華的前車之鑑,讓長江存儲的 Chen 強調,公司不允許員工竊盜智慧財產權,或偷盜其他公司機密,他們要求所有人員簽署協定,不能把非法取得資料帶進公司。另外,近來記憶體供給過剩,價格跌不停,外界憂慮長江存儲將開出龐大產能,打壞市場。Chen 指出,公司不會大舉增產,讓記憶體供過於求。長江存儲執行長楊士寧(Simon Yang)去年 9 月也說,無意摧毀記憶體市場。

中國積極發展半導體,IC Insights 估計,今年全球預定有 9 家 12 吋(300mm)晶圓廠啟用,其中 5 家位於中國。

IC Insights 15 日新聞稿稱,12 吋晶圓是業界主流,2018 年全球 12 吋晶圓廠增加 7 家至 112 家。今年估計有 9 家新廠啟動,其中 5 家都在中國。一年 9 家 12 吋晶圓廠開業,為 2007 年來之最。另外,2020 年 12 吋晶圓廠估計再增 6 家。2019、2020 年新開設的 12 吋晶圓廠,皆用於生產 DRAM、Flash,或是晶圓代工。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:長江存儲)

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