龍頭不能落後,三星 2022 年推 236 層堆疊 NAND Flash

作者 | 發布日期 2022 年 08 月 17 日 16:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


南韓媒體 BusinessKorea 報導,三星今年將發表 236 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品,還計劃本月開設研發中心,負責更先進 NAND Flash 產品研發。

當前市場對記憶體需求有雜音,但記憶體製造商不斷把 NAND Flash 堆疊層數往上加,以求更高效益。美光科技首先宣布開發全球首款 232 層堆疊 NAND Flash,SK 海力士最近也宣布完成 238 層堆疊產品開發,中國長江存儲則完成 232 層堆疊 NAND Flash 開發。如不追上,三星將落後競爭對手。

現在 NAND Flash 市場三星市占為 35% 領先,不過紀錄只有 176 層,三星準備憑生產技術和價格加上性能競爭力,將 NAND Flash 堆疊層數增加 60 層。

市場觀察,SK 海力士開發中 UFS 4.0 NAND Flash 資料處理速度,連續讀取為 4,000MB/s,連續寫入 2,800MB/s,體積 11×13×0.8mm。僅從速度看,可能只搭載 V7 NAND。三星 5 月 4 日首發 UFS 4.0 的 NAND Flash 採 176 層堆疊的 V7 NAND,連續讀取 4,200MB/s,連續寫入 2,800MB/s,體積 11×13×1mm。三星尚未確認 236 層堆疊 NAND Flash 發表時間,有待後續關注。

(首圖來源:shutterstock)