中國記憶體超車有望？傳武漢新芯將合體紫光，洽美光助攻

中國擴張半導體產業，被視為重點項目的記憶體可能再出現新局，統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，且現在不只獲飛索半導體（Spansion）在 3D NAND Flash 的技術授權，還可能得到大腕美光（Micron）的協助。

雙方各有強項，整合出記憶體中國國家隊

科技新報取得消息，中國武漢新芯將與紫光集團將聯手，共同發展記憶體。武漢新芯已經有兩萬片的 12 吋廠規模，加上新廠已經開始動工，適合作爲生產的基地，節省紫光從頭開始的時間，也間接克服紫光也沒有半導體製造人才團隊的問題。紫光集團旗下的紫光國芯，去年八月取得中國唯一的 DRAM IC 設計公司西安華芯控股權。加上紫光集團的資金募集、活動力驚人，也有華亞科前董事長高啓全助力。紫光與武漢新芯的整合，不僅在生產團隊、既有半導體廠基礎、IC 設計團隊、民間資金、國家基金都產生更大的實力。也加大了跟技術授權來源美光的談判優勢。

▲Nand Flash 市占率圖（Source：DRAMeXchange）

將華亞科模式套用在 NAND Flash 上

更進一步地，傳聞中國方已與記憶體大廠美光（Micron）洽談技術合作事宜，武漢新芯與紫光獲有機會取得美光在 NAND Flash 的技術授權。由中國提供資金建廠，美光授權技術，以華亞科模式進行生產 NAND Flash！所謂的華亞科模式，就是美光提供生產技術，合作方股東出大量資金建廠。美光可以在不出錢的情況下，取得技術授權金與分享產能的回饋。

DRAM 還是 Flash？

以美光而言，選擇技術授權 Nand Flash 而非 DRAM 會是合理的方案。

一、美光也會想維持 DRAM 寡占格局，以及市場無需大量新產能 DRAM 長期以來供過於求的市況近期終於轉佳，各家大廠在寡占格局下，試圖維持平衡不貿然擴產，為免重啟流血價格戰。

二、NAND Flash需求仍快速增長，有擴產需要 在 SSD 需求高漲下，NAND Flash、尤其是下一世代主流 3D NAND Flash 尚處快速長步階段。市場未來仍然需要新產能與更多的產出。包含三星、東芝、SK 海力士都在擴充 3D NAND Flash 的產量。透過技術授權，除了能取得一定的授權金，美光也能取得更多的產能維持自家的市占率與研發基礎。

▲SSD 在 PC 滲透圖（Source：Nomura Securities）

三、美光技術、資金實力皆須藉助外力 美光的 NAND Flash、DRAM 技術、產能，事實上現在在記憶體產業都屬於落後班。雖然以最近他的約當現金來看有 46 億美金之多，但是後面一年的營運預估約當現金會降到 30 億美金的水位。距離他的歷史低位不遠，也沒有額外的能力擴廠。

▲NAND Flash 廠營業利潤率（Source：Nomura）

尤其在三星、Toshiba、SK Hynix 都在積極轉進 3D NAND Flash，也在擴產時。美光的落後狀態對於未來相當不利。這時有願意提供無風險華亞科模式的 Flash 廠，就猶如天上掉下來的禮物了。武漢新芯為中國政府選定統籌國家整體記憶體產業發展的根據地，日前位於武漢東湖高新區的廠區正式動土，其所規劃產能到 2030 年高達 100 萬片，一開始就鎖定 3D NAND Flash，目標追上與記憶體大廠之間的距離，然目前武漢新芯僅取得飛索半導體（Spansion）的技術授權，據悉，Spansion 實驗室產品堆疊尚在 8 層、10 層左右，估計 2017 年量產 32 層堆疊產品，然目前堆疊技術已來到 48 層，以目前技術要能追上各家大廠實有一定難度。倘若獲美光的技術支援，或有一線轉機。

高層人士將異動

由於兩個集團在 NAND Flash 上的合作，資金龐大、團隊人數高，並且有高難度的涉外談判。因此領導體系，必需有明確的指揮。因此也傳出紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能扮演重要角色，而新芯董事長楊士寧等可能有異動。不過因爲背後的政治系統複雜，仍有許多變數。

對臺灣、記憶體產業的影響

紫光加武漢新芯的記憶體國家隊在與美光的談判中，NAND Flash 會是首先的要角。至於後續的 DRAM，或是入股美光的可能性也都觸及。不過由於美國也正在進入史上最敏感的總統大選，未來政治走向如何？產業、美光也都戰戰兢兢的在觀望。存在的變數甚多。如果第一步僅是 NAND Flash 對中國的技術授權、生產，那麽對華亞科、南科的衝擊將不大。不過由於後續在晶圓廠量產時，臺灣有經驗的工程師能提供的助益甚大。因爲高階半導體人才的流失問題值得產業以及政府重視。

（首圖來源：紫光官網）