富士通推出業界最高密度 4 Mbit ReRAM 量產產品

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 08 日 15:20 | 分類 記憶體 , 零組件
新聞稿

香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司 8 日宣布推出業界最高密度 4 Mbit ReRAM(可變電阻式記憶體)產品 MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體合作開發的首款 ReRAM 產品。



MB85AS4MT 為 SPI 介面的 ReRAM 產品,能在 1.65 至 3.6 伏特電壓下運作,並於最高時脈 5MHz 的讀取操作下僅需 0.2mA 的平均消耗電流。

此全新產品適用於需要電池供電的穿戴式及醫療裝置,例如助聽器等需要高記憶體密度且低功耗的電子裝置。

截至目前為止,富士通藉由提供具有耐讀寫以及低功耗特性的 FRAM(鐵電隨機存取記憶體),以滿足客戶對遠高於 EEPROM 以及串列式 Flash 等傳統非揮發式記憶體的效能需求。

在將新款 4 Mbit ReRAM MB85AS4MT 加入其產品線後,富士通如今可進一步擴充產品選項,以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT 不僅能在電壓 1.65 至 3.6 伏特之間的廣泛範圍內作業,還能透過 SPI 介面支援最高 5 MHz 的運作時脈,並在讀取時僅需極低的作業電流(5MHz 時脈下平均僅消耗 0.2mA)。此外,此產品擁有業界非揮發性記憶體最低的讀取功耗。

此全新產品採用 209mil 8-pin 的 SOP(small outline package),腳位與 EEPROM 等非揮發性記憶體產品相容。富士通在微型 8-pin SOP 封裝中置入一個 4 Mbit 的記憶體,以超越串列介面 EEPROM 的最高密度。

富士通預期 MB85AS4MT 高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式裝置、助聽器等醫療裝置,以及量表與感測器等物聯網裝置。富士通期盼未來持續提供各種產品與解決方案,以協助客戶提升其應用的價值與便利性。 

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