資料中心需求熱,帶動第三季 Server DRAM 營收成長約 25.2%

作者 | 發布日期 2017 年 11 月 16 日 14:30 | 分類 網通設備 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,北美資料中心的需求持續強勁,以及 DRAM 供給端產能與製程受限制下,並不能滿足整體伺服器記憶體市場需求,Server DRAM 供不應求的情形在第三季更為顯著。受平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動,三大 DRAM 原廠第三季營收成長約 25.2%。



DRAMeXchange 分析師劉家豪指出,進入第四季,在伺服器出貨動能不減的情況下,整體 Server DRAM 供不應求的狀況將更為明顯,Server DRAM 第四季合約價將持續上漲 6% 至 10%,可望帶動廠商營收與利潤率表現再創新高。

三星(Samsung)

以目前市場規模來看,三星受惠於整體 DRAM 市場占有率與製程技術領先,市場上 Server DRAM 表現格外亮眼。值得一提的是,三星在高容量模組與佈局也相對積極,第三季度整體 Server DRAM 營收來到 25.49 億美元,季增 28.4%,占整體市場約 45.9%。

展望第四季,來自於伺服器的需求將達到今年的頂峰,高容量的模組需求也隨著新平台導入進而攀升至年度高點,Server DRAM 仍然供不應求。然而,三星現階段仍然會持續針對各家 OEM / ODM 調整供貨達成率,以達成滿足主要客戶需求與提高獲利水位的目標。

製程方面,三星今年 Server DRAM 仍以 20nm 產出為主,18nm 比重在第四季將會提升至 40%,預期至 2018 年第一季底將逾五成,逐漸成為主流產品。在高容量晶片的規畫上,三星將會在其 18nm 導入 16Gb mono die 的設計,目前已送樣品至英特爾測試,預計在 2018 度第二季導入生產線,預期將大幅改善 Server DRAM 的成本結構,並有利於高容量模組布局。

SK 海力士(SK Hynix)

受惠於北美資料中心備貨需求帶動,SK海力士第三季營收較第二季大幅成長 30.1% 至 17.92 億美元,營業利益率也較第二季改善許多。若從製程進展來看,SK 海力士 Server DRAM 仍以 21nm 為主,而 18nm Server DRAM 將會在 2018 年第一季底小量生產,預計在第二季後產能逐步釋放,且隨著 ODM 認證進度與良率改善下,18nm 產量比重將會進一步提高。

從產能規畫來看,SK 海力士將會逐漸提高 M14 Phase 1 的產能以及無錫廠 18nm 製程轉換,其中 Server DRAM 將占其 DRAM 產品比重逾三成,部分產能將會隨著市場需求而略為調整,以維持獲利水平。面對伺服器訂單的熱絡,除了產品線調整外,SK 海力士也會提高高容量模組如 32G 與 64G 的出貨占比,預期明年高容量模組的出貨將會提升至六成水位。

美光(Micron)

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益,美光第三季 Server DRAM 位元出貨量較前一季度成長,平均銷售單價也有局部的躍升,激勵 Server DRAM 產品營收成長達 13% 來到 12.07 億美元。

從產品面來分析,美光在 Server DRAM 的比重仍然維持在近三成水位,現階段獲利的持續增長完全有賴於記憶體平均銷售單價的提升。展望明年,美光將會隨著其 17nm 進展與改善而進行增產;截至目前,其良率已有進一步提升且已送樣,但在 Server DRAM 產品線的規畫上,仍將會視明年第二季後,良率是否能達到經濟規模下才會增加投片,現階段仍然以既有的 20nm 為主要產品。

(首圖來源:shutterstock)