痛苦回憶不再！科學家證實：非侵入性磁刺激可消除負面記憶

科學背後是嚴謹的假設求證，需要經年累月嘗試實驗，藝術卻有無限的想像空間。

「消除負面記憶」是人們一直希望達成卻又害怕的事，不少科幻作品多有想像描述；而在現實生活，利用基因編輯、注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶，也開始成為眾多研究人員的著手點。

義大利博洛尼亞大學的研究人員提出假設：以非侵入性方式，以磁刺激大腦特定部位，消除負面記憶。

7 月 30 日，實驗成果發表於學術期刊《當代生物學》（Current Biology），論文題為《State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear》（經前額葉皮質的狀態相依性磁刺激干擾恐懼記憶重建，防止恐懼情緒返回）。

重複磁刺激達成記憶反固化

要刺激大腦消除記憶，首先要找對位置：「背外側前額葉皮質」。

大腦有一塊名為前額葉皮質的區域，和認知、情緒、疼痛和行為管理等有關。顧名思義，前額葉皮質就是前額頭後面那部分大腦皮質，靈長類生物進化時變化最大的也是這部位。

這部位有多智慧？如果有人提起你去過的風景名勝，大腦各部位會擷取相關資訊，如地理位置、建築風格、色彩等，所有零散資訊只要經過前額葉皮質就可整合，所有記憶中關於此名勝的資訊就會彙整輸出。

如下圖所示，前額葉皮質包括背外側前額葉皮質（Dorsolateral Prefrontal Cortex，dlPFC）和眶額皮質（Orbitofrontal Cortex），博洛尼亞大學團隊選擇的是能控制記憶檢索、啟動記憶、重組記憶的 dlPFC。

找到目標位置後，就該考慮如何刺激大腦了。

要把短期記憶變成長期記憶，大腦要努力運作，避免這段記憶因刺激或傷病受干擾，這過程就叫「固化」（consolidation）。

舉一反三，想消除一段記憶，就是倒轉固化程序，將記憶狀態由穩定變成不穩定。科學家稱此反轉過程為「反固化」（reconsolidation）。

博洛尼亞大學團隊決定透過重覆經顱磁刺激（rTMS）反固化，這種方式無痛無創，可改變 dlPFC 部位神經活動的磁場。

消除記憶的原理很明確了，實際又是如何操作？

研究人員選擇 84 位身體狀況良好（指沒有類似實驗將產生的恐懼記憶等任何記憶）參與者進行實驗──參與者接受負面刺激形成恐懼記憶，研究人員於 24 小時後透過幫助啟動參與者的恐懼記憶並觀察反應，再對參與者反固化 10 分鐘。

用膚電反應證明可行性

之後研究人員測量參與者的膚電反應（GSR）。

膚電反應是心理學的情緒生理指標，代表有機體受刺激時皮膚電流的變化。這項實驗，皮膚電流的變化反映反固化的效果好壞。

膚電反應結果顯示，反固化 24 小時後，參與者對恐懼記憶的生理反應明顯減少。

前額葉皮質一定程度不對稱，所以研究人員實驗也分別偵測參與者左右兩側的 dlPFC 變化，並發現反固化 24 小時後左右兩側 dlPFC 對恐懼記憶的生理反應減少程度接近──就是說不論哪側，反固化都有發揮效用。

不過，研究團隊也發現下列情況的參與者，對恐懼記憶的生理反應並未有任何變化：

• 剛做完反固化就測量參與者膚電反應。
• 反固化沒有恐懼記憶的參與者。

更重要的是，經過反固化，參與者的恐怖記憶也消失了。

綜合上述結果，反固化對 dlPFC 的影響將隨時間推移變化；記憶反固化過程，以無創方式刺激大腦消除記憶這條路可行。

研究人員認為：

這些發現為理解恐懼記憶重新整合機制提供新方向；同時，對標靶情緒、適應不良記憶也有潛在臨床意義。這些發現將對恐懼症、創傷後應激障礙、強迫症等疾病的治療提供新想法。

要解釋的是，強迫症之一的記憶強迫症，成因為心理防禦意識過強，強迫記憶會帶來心理與行為障礙，患者整天情緒充滿惶恐焦慮。有研究表明，記憶強迫症患者時常將大腦空間留給各種回憶，因此出現記憶問題。

不過各地研究團隊已研發出不少消除負面記憶的技術，如：

• 大腦特定區域注射異丙酚（全身麻醉劑），給藥 24 小時後負面記憶破壞。
• 利用光遺傳學技術刺激海馬迴特定區域，可消除負面記憶。
• 開發受光遺傳學啟發的類腦晶片，透過模仿大腦儲存和移除資訊的方式消除消極記憶。
• 基於基因編輯達成特定記憶精確移除。

可見，消除負面記憶已不僅停在藝術家的想像裡，而用尖端技術做到科幻作品情結，未來很有可能實現。

• State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear

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