痛苦回憶不再!科學家證實:非侵入性磁刺激可消除負面記憶

作者 | 發布日期 2020 年 08 月 05 日 8:15 | 分類 生物科技 , 醫療科技 Telegram share ! follow us in feedly


科學背後是嚴謹的假設求證,需要經年累月嘗試實驗,藝術卻有無限的想像空間。

「消除負面記憶」是人們一直希望達成卻又害怕的事,不少科幻作品多有想像描述;而在現實生活,利用基因編輯、注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶,也開始成為眾多研究人員的著手點。

義大利博洛尼亞大學的研究人員提出假設:以非侵入性方式,以磁刺激大腦特定部位,消除負面記憶。

7 月 30 日,實驗成果發表於學術期刊《當代生物學》(Current Biology),論文題為《State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear》(經前額葉皮質的狀態相依性磁刺激干擾恐懼記憶重建,防止恐懼情緒返回)。

重複磁刺激達成記憶反固化

要刺激大腦消除記憶,首先要找對位置:「背外側前額葉皮質」。

大腦有一塊名為前額葉皮質的區域,和認知、情緒、疼痛和行為管理等有關。顧名思義,前額葉皮質就是前額頭後面那部分大腦皮質,靈長類生物進化時變化最大的也是這部位。

這部位有多智慧?如果有人提起你去過的風景名勝,大腦各部位會擷取相關資訊,如地理位置、建築風格、色彩等,所有零散資訊只要經過前額葉皮質就可整合,所有記憶中關於此名勝的資訊就會彙整輸出。

如下圖所示,前額葉皮質包括背外側前額葉皮質(Dorsolateral Prefrontal Cortex,dlPFC)和眶額皮質(Orbitofrontal Cortex),博洛尼亞大學團隊選擇的是能控制記憶檢索、啟動記憶、重組記憶的 dlPFC。

找到目標位置後,就該考慮如何刺激大腦了。

要把短期記憶變成長期記憶,大腦要努力運作,避免這段記憶因刺激或傷病受干擾,這過程就叫「固化」(consolidation)。

舉一反三,想消除一段記憶,就是倒轉固化程序,將記憶狀態由穩定變成不穩定。科學家稱此反轉過程為「反固化」(reconsolidation)。

博洛尼亞大學團隊決定透過重覆經顱磁刺激(rTMS)反固化,這種方式無痛無創,可改變 dlPFC 部位神經活動的磁場。

消除記憶的原理很明確了,實際又是如何操作?

研究人員選擇 84 位身體狀況良好(指沒有類似實驗將產生的恐懼記憶等任何記憶)參與者進行實驗──參與者接受負面刺激形成恐懼記憶,研究人員於 24 小時後透過幫助啟動參與者的恐懼記憶並觀察反應,再對參與者反固化 10 分鐘。

用膚電反應證明可行性

之後研究人員測量參與者的膚電反應(GSR)。

膚電反應是心理學的情緒生理指標,代表有機體受刺激時皮膚電流的變化。這項實驗,皮膚電流的變化反映反固化的效果好壞。

膚電反應結果顯示,反固化 24 小時後,參與者對恐懼記憶的生理反應明顯減少。

前額葉皮質一定程度不對稱,所以研究人員實驗也分別偵測參與者左右兩側的 dlPFC 變化,並發現反固化 24 小時後左右兩側 dlPFC 對恐懼記憶的生理反應減少程度接近──就是說不論哪側,反固化都有發揮效用。

不過,研究團隊也發現下列情況的參與者,對恐懼記憶的生理反應並未有任何變化:

  • 剛做完反固化就測量參與者膚電反應。
  • 反固化沒有恐懼記憶的參與者。

更重要的是,經過反固化,參與者的恐怖記憶也消失了。

綜合上述結果,反固化對 dlPFC 的影響將隨時間推移變化;記憶反固化過程,以無創方式刺激大腦消除記憶這條路可行。

研究人員認為:

這些發現為理解恐懼記憶重新整合機制提供新方向;同時,對標靶情緒、適應不良記憶也有潛在臨床意義。這些發現將對恐懼症、創傷後應激障礙、強迫症等疾病的治療提供新想法。

要解釋的是,強迫症之一的記憶強迫症,成因為心理防禦意識過強,強迫記憶會帶來心理與行為障礙,患者整天情緒充滿惶恐焦慮。有研究表明,記憶強迫症患者時常將大腦空間留給各種回憶,因此出現記憶問題。

不過各地研究團隊已研發出不少消除負面記憶的技術,如:

  • 大腦特定區域注射異丙酚(全身麻醉劑),給藥 24 小時後負面記憶破壞。
  • 利用光遺傳學技術刺激海馬迴特定區域,可消除負面記憶。
  • 開發受光遺傳學啟發的類腦晶片,透過模仿大腦儲存和移除資訊的方式消除消極記憶。
  • 基於基因編輯達成特定記憶精確移除。

可見,消除負面記憶已不僅停在藝術家的想像裡,而用尖端技術做到科幻作品情結,未來很有可能實現。

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