國研院 5 奈米論文獲國際認證,維繫半導體競爭力

作者 | 發布日期 2015 年 12 月 22 日 14:40 | 分類 市場動態 , 會員專區 , 科技教育 Telegram share ! follow us in feedly


國家實驗研究院奈米元件實驗室以「奈米級菱形鍺高速通道技術」、「原子級二硫化鉬二維通道技術」等兩項次 5 奈米世代前瞻元件技術研發為主的 6 篇論文,獲選於 2015 年底舉行、全球最重要之頂尖電子元件國際會議「國際電子元件會議」(International Electron Devices Meeting,IEDM)中發表,其中兩篇更獲選為大會的焦點論文(Highlight Paper)。

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