國家實驗研究院奈米元件實驗室以「奈米級菱形鍺高速通道技術」、「原子級二硫化鉬二維通道技術」等兩項次 5 奈米世代前瞻元件技術研發為主的 6 篇論文，獲選於 2015 年底舉行、全球最重要之頂尖電子元件國際會議「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting，IEDM）中發表，其中兩篇更獲選為大會的焦點論文（Highlight Paper）。
本篇文章將帶你了解 :國研院 5 奈米論文獲國際認證，維繫半導體競爭力
