武漢新芯藉 3D NAND Flash 圓中國記憶體夢,能彎道超車還是會彎道翻車?

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 18 日 14:31 | 分類 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動,瞄準記憶體,目標在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人,而一開始武漢新芯鎖定的目標是 NAND Flash,對武漢新芯而言,要用 3D NAND Flash 圓夢,一個躋身記憶體大廠的夢。

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