武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動,瞄準記憶體,目標在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人,而一開始武漢新芯鎖定的目標是 NAND Flash,對武漢新芯而言,要用 3D NAND Flash 圓夢,一個躋身記憶體大廠的夢。 繼續閱讀..
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中國資本聯合收購記憶體廠商 ISSI,布局伸向 DRAM 產業 |
作者 liu milo|發布日期 2015 年 03 月 13 日 13:19 | 分類 晶片 , 會員專區 |
3 月 12 日美國 DRAM 廠商 ISSI(Integrated Silicon Solution)宣布被中國武岳峰資本(Summitview Capital)收購,雙方以 6.4 億美元達成協議,此舉被視為中國要在 DRAM 產業邁開大步,未來恐造成台灣 DRAM 廠不小的影響。 繼續閱讀..

三星西安廠 3D NAND 晶片量產一度停擺,不致影響市場價格 |
作者 Sanada Yukimura|發布日期 2015 年 01 月 27 日 17:19 | 分類 晶片 , 會員專區 |
日前韓國媒體 Digital daily 報導了三星電子(Samsung Electronics)在中國西安負責產製 3D NAND Flash 廠區,傳出產線一度全面中斷的消息,韓國媒體表示有多達 3 萬片晶圓悉數報廢,預估損失金額為 6,000 萬美元。不過,根據科技新報(TechNews)從韓國方面獲得的了解,三星 NAND 廠這件事情大約是發生在 2014 年 12 月份,並不是報紙刊登報導的 2015 年 1 月份,而且只有大約一千片晶圓損毀報廢,並沒有媒體傳言的三萬片那樣多。 繼續閱讀..

旺宏出招 請求美 ITC 禁售 Spansion 侵權產品 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2013 年 12 月 30 日 18:05 | 分類 晶片 , 會員專區 |
非揮發性記憶體大廠旺宏針對其與 Spansion 的專利訴訟再出招,旺宏指出,公司已經在上週五向美國國際貿易委員會(United States International Trade Commission, ITC)提出告訴,指控 Spansion、其關係企業與客戶侵害旺宏3項專利,並請求ITC依法頒發禁制令,禁止Spansion的侵權產品進口美國或在美國銷售。 繼續閱讀..