外資赴中國設廠加劇競爭,中國晶圓代工廠今年全力衝刺 28 奈米製程

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 10 日 15:00 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件 line share follow us in feedly line share
外資赴中國設廠加劇競爭,中國晶圓代工廠今年全力衝刺 28 奈米製程


隨著聯電廈門子公司聯芯的 28 奈米先進製程計畫在今年第二季正式量產,TrendForce 旗下拓墣產業研究院指出,中國本土晶圓代工廠今年將衝刺在 28 奈米最先進製程的布局,進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子,然而,隨著外資紛紛於中國設立晶圓廠,本土晶圓代工廠面臨技術、人才、市場上的直接競爭壓力。

拓墣指出,中國本土純晶圓代工廠商目前最先進的量產製程為 28 奈米,根據統計,中芯國際 28 奈米晶圓產品 2016 年的年晶圓產能全球佔比不足 1%,與 28 奈米製程市佔率分別為 66.7%、16.1% 與 8.4% 的前三大純晶圓代工廠商台積電、格羅方德、聯電仍有較大差距。

不過,根據中芯國際季報顯示,2016 年第四季 28 奈米營收佔比達到 3.5%。中芯國際首席執行長邱慈雲在 2 月 15 日的法說會上表示,28 奈米以下製程會是 2017 年中芯的成長動能之一,預期 2017 年底 28 奈米以下製程,將佔公司營收比重達到 7%~9%。甫公布的中芯國際 2016 年業績報告中,也展望 2017 年底 28 奈米季營收佔比接近 10%。

觀察華力微電子的製程布局進度,雖然華力微電子宣布與聯發科合作的 28 奈米行動通訊晶片已順利流片,但距量產仍有一段距離。華力微電子二期專案已於 2016 年底開工,計劃 2018 年完工試產,預期將導入 28 奈米生產線,後期逐漸過渡至 20 奈米、14 奈米,華力微電子二期項目也有導入 22 奈米 FD-SOI 製程的考慮計畫。

拓墣指出,目前正值中國積體電路產業飛速發展時期,除了本土晶圓製造廠商大力擴張發展外,受地方政府及地方資本的追捧,外資廠商也紛紛登陸,各廠商都寄望在中國積體電路產業發展的關鍵之際提前佈局,佔據有利市場地位。根據外資廠商進駐中國的技術布局習慣,一般會授權(N-1)代的技術,然而,這些技術往往又會對同期中國本土廠商產品造成很大的衝擊。

外資晶圓廠製程領先,衝擊本土廠商

截至目前,在純晶圓代工領域,選在南京建廠的台積電將於 2018 年下半年導入 16 奈米 FinFET 製程,預計對中芯國際 2019 年初的 14 奈米 FinFET 量產計畫產生較大影響;於成都落腳的格羅方德將於 2019 年底導入 22 奈米 FD-SOI 製程,直接壓迫同期華力微電子 22 奈米 FD-SOI 製程的布局計畫。

另一方面,去年底剛投產的廈門聯芯,初期導入 55 / 40 奈米製程,近日在聯電成功實現 14 奈米 FinFET 量產計畫的條件下,宣布正式授權廈門聯芯 28 奈米技術,並計劃最快 2017 年第二季導入量產,預估到年底在產能 1 萬 6,000 片中,有 1 萬片是 28 奈米。在量產速度上,聯芯成為中國領先。雖然中芯國際的 28 奈米製程已在這之前開始量產,但從產品規格來看,中芯更多偏向中低階的 28 奈米 Ploy/SiON 技術,對於高階的 28 奈米 HKMG 製程涉足並不深,而聯電的 28 奈米在量產時間上領先中芯國際兩年,技術水準也相對更加全面和穩定,預計未來會對中芯國際 28 奈米的布局產生較大的影響。

因此,拓墣指出,未來隨著各外資廠商新廠的落成投產,等待中國本土廠商的將是來自各外資廠商在技術、人才、市場等多方面資源的直接競爭,中國晶圓代工廠先進製程布局將全面開戰。

(首圖來源:shutterstock)