iPhone 8 設計圖外流?傳指紋辨識在背面、縱向雙鏡頭

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 14 日 9:20 | 分類 Apple , iPhone , 零組件 line share follow us in feedly line share
iPhone 8 設計圖外流?傳指紋辨識在背面、縱向雙鏡頭


iPhone Mania、taisy.0 等日本網站 13 日轉述 9to5Mac 的報導指出,中國微博網站出現了據稱是蘋果(Apple)預計今年開賣的 iPhone 8 的設計圖稿,該設計圖稿據悉是從幫蘋果代工 iPhone 的鴻海工廠所流出。

從該設計圖稿可知,iPhone 8 採用超窄邊框設計,且廢除物理性 Home 鍵,而在背面設計的部分,其雙鏡頭從現行的橫向設計改為縱向設計,Touch ID 指紋感測器移至背面的蘋果 Logo下方。

(Source:微博

另外,iPhone 8 尺寸為 149.501×72.497×8.624㎜,尺寸介於 iPhone 7(138.3×67.1×7.1㎜)和 iPhone 7 Plus(158.2×77.9×7.3㎜)之間,單就厚度來看,iPhone 8 較 iPhone 7 Plus 變厚 1.3mm。

不過要注意的是,該設計圖稿的右上角標示著「EVT 03版」的字樣,顯示該圖稿應是 iPhone 8 工程驗證測試階段(EVT)的第 3 版試作機,而蘋果 iPhone 的設計在完成 EVT 階段後、還要經過設計驗證測試階段(Design Verification Test,DVT)後才會定案,因此上述外流的設計圖稿所顯示的內容可能不是最終版設計。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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