長江存儲今年底量產 64 層 3D NAND 產品,2020 年擴產恐衝擊 NAND Flash 價格

作者 | 發布日期 2019 年 05 月 14 日 15:10 | 分類 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


由於中美貿易摩擦影響,中國兩大 DRAM 廠發展腳步已明顯放緩,根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出,做為 NAND Flash 發展主力的長江存儲,今年底前將依照進程正式量產 64 層 Xtacking 3D NAND 產品,隨著長江存儲 2020 年產能逐步擴大,預計將對全球 NAND Flash 市場供給與價格帶來衝擊。

TrendForce 指出,長江存儲已於第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商,初期著重中國國內市場銷售。並且已完成武漢廠的建設,並有限度的投產 32 層產品,待 64 層正式量產後產能擴張將轉趨積極。2020 年後產能規劃將逐步放大,到該年底擴張達至少 60K/m 的投片量,儘管相對其他競爭者動輒 200K/m 以上的產能並不算大,預估仍會對 NAND Flash 市場價格產生一定衝擊,導致跌價趨勢持續。

TrendForce 分析認為,中國新開產能以達成自給的目標相當明確,而其他國際廠商亦各自有新廠得以因應 2020 年後的競爭,包含三星的西安二期、東芝的岩手縣新廠、美光的新加坡三廠、SK Hynix M15 廠的剩餘空間加上後續的 M16 廠房等,在各廠產能提升後,價格競爭恐將更為激烈。

為縮短與一線廠 1-2 年的技術差距  長江存儲明年直攻 128 層產品

以主要 6 大供應商的發展狀況來看,目前主流出貨多在 64 / 72 層產品,並已量產 92 / 96 層的產品,目前正提供客戶 UFS、SSD 等產品樣品進行導入,然而新製程的擴產受到今年市況影響,供應商自去年年底以來逐步調降資本支出並減緩擴產時程,甚至有部分供應商決定減產,導致新製程比重成長較為緩慢。

反觀長江存儲發展規劃,在推出 64 層產品後,相較於其他供應商先發展 9x 層的步調,長江存儲將直攻 128 層以縮減與其他供應商的差距,主要供應商則規劃在 2020 年量產 128 層產品。儘管長江存儲在技術發展上仍與主要供應商有相當差距,但未來對市場的影響恐怕勢難抵擋。

全球市場研究機構 TrendForce 將在 2019 年 5 月 31 日(五)COMPUTEX 期間,於台北國際會議中心舉辦「Compuforum 2019:資料經濟大未來」研討會。詳情請見活動網站

(首圖來源:長江存儲