紫光正式進軍 DRAM 產業,中國再啟 DRAM 自主開發之路

作者 | 發布日期 2019 年 07 月 01 日 16:40 | 分類 中國觀察 , 晶圓 , 晶片 follow us in feedly


TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,紫光集團於 6 月 30 日正式發文公告籌組 DRAM 事業群,由曾任工信部電子信息司司長的刁石京擔任事業群董事長,而執行長由高啟全擔任。這也是在晉華遭到美國發布禁售令後,中國自主開發 DRAM 產品的另一新里程碑。

根據 TrendForce 推估,紫光 DRAM 事業群雖在草創初期,但已有長江存儲的蓋廠經驗,且蓋廠人員未有大異動下,迅速完成 DRAM 新廠的興建並不困難;地點方面,紫光集團除了在南京有工廠正在興建外,跟重慶亦有密切的合作,不排除是新工廠的另一選擇;技術方面,紫光集團旗下的 IC 設計公司紫光國微,具有 DRAM 相關產品的研發實力,未來若能整合至紫光,將挹注其 DRAM 事業群發展。目前紫光欠缺的是 DRAM 的製程技術,這部分預計可望藉由其新任執行長的業界人脈進行補強。

觀察中國記憶體產業發展,自 2014 年以來歷經大基金的成立以及各地方政府投入發展,DRAM 產業出線的有合肥長鑫與晉華集成兩家,NAND Flash 產業以長江存儲為發展主力,但富士康半導體亦在 2018 年宣布與珠海市政府正式簽署戰略合作協議後,將在珠海規劃 12 吋半導體廠,傳聞意圖進軍 DRAM 產業,至今尚未有進一步的消息。

TrendForce 指出,紫光並非首次計劃進軍 DRAM 產業,早在 2014 年期間紫光就曾表達出研發 DRAM 的決心,但當時為了平衡產業與地方發展,確立紫光發展 NAND Flash 的路線,DRAM 研發之路無疾而終。此次紫光集團重返 DRAM 研發之路,其原因分析如下:首先是福建晉華在去年 11 月遭美國禁售後,廠務已呈半停滯的狀況,加上與聯電合作研發終止,最終量產與未來研發之路都不容易。其次是雖然合肥長鑫 5 月在上海參加全球半導體聯盟記憶體論壇(GSA Memory+Conference)時,預計今年底量產 8Gb 的 DRAM 產品。但僅有一家正在進行的 DRAM 廠對中國自主開發 DRAM 產品的目標而言是不足的,特別在中美貿易摩擦之後,如何擁有與國際接軌與競爭的產品,是中國目前至關重要的議題。

(首圖來源:shutterstock)

延伸閱讀: