台積電也得靠它,關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎

作者 | 發布日期 2019 年 10 月 15 日 15:00 | 分類 國際貿易 , 奈米 , 尖端科技 follow us in feedly


半導體講求製程微縮,生產的晶片有更小體積、更好效能之外,也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下,微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能,全球微影曝光設備大廠艾司摩爾(ASML)就在官方 Facebook 公布關鍵公式:萊利公式(Rayleigh Criterion),使半導體微影曝光設備能持續發展。

ASML 指出,萊利公式為 CD=k1 x ( λ / NA),描述了重要參數間的對應關係,CD(Critical Dimension)中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸,而 k1 為變因,λ 則是曝光機所用的光源波長,最後 NA(Numerical Aperture)就是代表光學系統的數值孔徑。

利用此公式,在半導體製程中,希望生產的晶片體積越來越小、搭載效能越來越高。也就是說,必須將公式中的 λ (光源波長) 縮小、NA(反射鏡數值孔徑)提高,讓最後得到的 CD 越來越小。雖然有此公式輔助,但同時還是必須有曝光機的內部構造和工作模式的發展,這也是提升晶片生產效能和良率的關鍵要素。

ASML 進一步表示,透過萊利公式持續改善我們的微影設備,並透過專業的微影技術、與客戶及供應商的緊密合作,協助台灣及全球半導體產業提升製造良率和產能,實現晶片微縮藍圖,讓終端消費者能夠用更合理的價格買到功能更強、體積更小巧的電子產品,進一步提升人類的生活品質。

(首圖來源:艾司摩爾)