台積電也得靠它,關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎 作者 Atkinson | 發布日期 2019 年 10 月 15 日 15:00 | 分類 國際貿易 , 奈米 , 尖端科技 | edit 半導體講求製程微縮,生產的晶片有更小體積、更好效能之外,也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下,微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能,全球微影曝光設備大廠艾司摩爾(ASML)就在官方 Facebook 公布關鍵公式:萊利公式(Rayleigh Criterion),使半導體微影曝光設備能持續發展。 此文章為會員限定,登入即可閱讀全文 會員登入 立刻 加入會員 享有暢讀無阻 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 訂閱免費電子報 關鍵字: 半導體 , 微影曝光設備 , 艾司摩爾 , 萊利公式 , 製程 , 設備