Tag Archives: 製程

14 奈米以下製程列關鍵技術清單,經濟部:不影響台積電

作者 |發布日期 2023 年 12 月 06 日 8:29 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

國科會 5 日公告國家核心關鍵技術清單,包括 14 奈米以下製程的 IC 製造與異質整合封裝技術 2 項。經濟部表示,管制方向與美國同步,台灣僅台積電具備 14 奈米以下製程量能,而台積電在中國是生產 14 奈米以上晶片,並不會影響其商業活動。

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美國政府攜手三星、愛立信、IBM 和英特爾開發下一代晶片

作者 |發布日期 2023 年 02 月 02 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

外媒報導,包括三星、愛立信、IBM 和英特爾等廠商正在聯手研究和開發下一代晶片,而美國國家科學基金會(NSF)正在資助這一合作專案,並向這些科技大廠提供約 5,000 萬美元(約新台幣 14.98 億元)的資金,做為其「半導體的未來」計畫的一部分。

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美國火速通過晶片法案,加碼對中限制導致地緣政治風險升溫

作者 |發布日期 2022 年 08 月 01 日 14:20 | 分類 半導體 , 國際觀察 , 晶圓

過去兩年因疫情造成的晶片供應鏈斷鏈,以及中美貿易摩擦、俄烏戰爭等地緣政治升溫,使得全球各區域經濟體提高對區域生產與供應鏈自主性的關注。據 TrendForce 研究預估,以全球各區域 12 吋約當產能來看,至 2025 年台灣占比約 43%,接續為中國 27%、美國 8%、南韓 12%;7 奈米(含)以下先進製程產能方面,至 2025 年台灣占比約 69%、南韓 18%、美國 12%、中國 1%。相較 2022 年的格局,顯見美國未來三年將提升先進製程產能占比,而中國則以成熟製程為主軸。

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拓墣觀點》中國本土半導體沉積設備已覆蓋成熟與先進製程,自給率將逐步攀升

作者 |發布日期 2021 年 09 月 14 日 7:30 | 分類 會員專區 , 材料、設備 , 零組件

中國建構半導體自主化產業鏈面臨的最大挑戰,無疑是在半導體製造設備、材料等上游領域。在半導體製造設備方面,研磨、蝕刻、清洗設備自給率已突破 20%,部分本土設備商更能提供支援 14 奈米以下先進製程設備,離子植入設備、曝光設備由於技術門檻極高,自給率仍在 5% 以下。

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Nissan 發表碳纖維強化聚合物新生產技術,開發時間可望減半

作者 |發布日期 2020 年 09 月 08 日 8:00 | 分類 尖端科技 , 會員專區 , 材料

碳纖維強化聚合物(carbon fiber reinforced polymer,CFRP)這種複合材料有質輕強固特性,是航太領域、頂級賽車愛用的材料之一,然而製程繁複耗時昂貴,因此應用在大眾量產商品的可能性相當低。日產(Nissan)想改變這個情況,9 月發表碳纖維強化聚合物的生產新技術,開發時間可望減半,模造時間可望減少八成,開啟碳纖維材料進入尋常百姓家門之路。 繼續閱讀..

英特爾晶片製程「落後」意味什麼?

作者 |發布日期 2020 年 08 月 04 日 8:15 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器

在晶片製造核心製程,曾經領先的英特爾如今已失去優勢。2020 年 7 月 24 日,英特爾公布 2020 年第二季財報。財報透露,由於 7 奈米製程良率不理想,英特爾 7 奈米 CPU 產品較先前預期延後約 6 個月。英特爾首席財務長 George Davis 受訪時說,7 奈米晶片製造製程技術發現「嚴重缺陷」,英特爾正在調整。

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衝刺先進製程,美商應材推新技術以解決平面微縮重大瓶頸

作者 |發布日期 2020 年 07 月 21 日 11:30 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

半導體設備大廠美商應材,21 日宣布推出新式的選擇性鎢 (Selective Tungsten) 製程技術,可提供晶片廠商以新的方式構建電晶體觸點,這是連結電晶體與晶片中其他電路非常關鍵的第一層電路。而藉由這項創新的選擇性沉積技術,可以降低影響電晶體性能並增加耗電量的接觸電阻。另外,這項技術,電晶體的節點微縮與觸點能縮小至 5 奈米、3 奈米甚至更小,並同步提升晶片功率、性能與面積/成本 (chip power, performance and area/cost,PPAC)。

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台積電也得靠它,關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎

作者 |發布日期 2019 年 10 月 15 日 15:00 | 分類 國際貿易 , 奈米 , 尖端科技

半導體講求製程微縮,生產的晶片有更小體積、更好效能之外,也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下,微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能,全球微影曝光設備大廠艾司摩爾(ASML)就在官方 Facebook 公布關鍵公式:萊利公式(Rayleigh Criterion),使半導體微影曝光設備能持續發展。

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三星宣布推出 1Z 奈米製程 DRAM,2019 年下半年開始大量生產

作者 |發布日期 2019 年 03 月 21 日 17:30 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 會員專區

在動態隨機存取記憶體(DRAM)製程陸續進入 1X 及 1Y 製程領域之後,全球 DRAM 龍頭南韓三星 21 日宣布,首次業界開發第 3 代 10 奈米等級(1Z 奈米製程)8GB 高性能 DRAM。這也是三星發展 1Y 奈米製程 DRAM 之後,經歷 16 個月,再開發出更先進製程的 DRAM 產品。

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22 奈米 B365 晶片組將問世,能否舒緩英特爾處理器缺貨潮有待觀察

作者 |發布日期 2018 年 11 月 28 日 18:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 處理器

2018 年,就在處理器龍頭英特爾 (intel) 傳出 14 奈米產能不足,造成處理器市場大缺貨的情況。對此,英特爾除了加碼 10 億美元擴增 14 奈米的產能外,還為了確保第 9 代處理器的順利供貨,預計將一部分原本由 14 奈米生產的晶片組,轉移到 22 奈米的生產線上生產。而現在即將有 22 奈米製程生產的晶片組已經問世,其編號就是 B365。

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