衝刺先進製程，美商應材推新技術以解決平面微縮重大瓶頸

半導體設備大廠美商應材，21 日宣布推出新式的選擇性鎢 (Selective Tungsten) 製程技術，可提供晶片廠商以新的方式構建電晶體觸點，這是連結電晶體與晶片中其他電路非常關鍵的第一層電路。而藉由這項創新的選擇性沉積技術，可以降低影響電晶體性能並增加耗電量的接觸電阻。另外，這項技術，電晶體的節點微縮與觸點能縮小至 5 奈米、3 奈米甚至更小，並同步提升晶片功率、性能與面積/成本 (chip power, performance and area/cost，PPAC)。