衝刺先進製程,美商應材推新技術以解決平面微縮重大瓶頸

作者 | 發布日期 2020 年 07 月 21 日 11:30 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


半導體設備大廠美商應材,21 日宣布推出新式的選擇性鎢 (Selective Tungsten) 製程技術,可提供晶片廠商以新的方式構建電晶體觸點,這是連結電晶體與晶片中其他電路非常關鍵的第一層電路。而藉由這項創新的選擇性沉積技術,可以降低影響電晶體性能並增加耗電量的接觸電阻。另外,這項技術,電晶體的節點微縮與觸點能縮小至 5 奈米、3 奈米甚至更小,並同步提升晶片功率、性能與面積/成本 (chip power, performance and area/cost,PPAC)。

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