從單片 Micro LED 模組進化到多片拼接動態顯示，工研院與 LED 驅動 IC 廠聚積科技、PCB 廠欣興電子、半導體廠錼創科技，四方合作研發的次世代顯示技術 Micro LED 又再度升級，最新成果在 7 日剛開展的美國消費性電子展（CES 2020）中正式公開。
工研院跟三廠所開發的被動矩陣式驅動「超小間距 Micro LED 顯示模組」，繼 2018 年成功將 Micro LED 陣列晶片直接轉移到 PCB 基板、創下全球首例後，2019 年 6 月進一步達成真正的 RGB 全彩，改善紅光良率並克服弱化結構難題。時隔半年，四方合作結晶再度升級，實現多片模組拼接並以動態顯示呈現。
先前所展出的 Micro LED 模組，主要以 6 cm x 10 cm 單片形式呈現靜態影像；這次在 CES 中則是實現 15 片模組拼接，整體尺寸為 30 cm x 30 cm，達到間距（Pitch）625 μm、解析度 480 x 480 pixel，而且能顯示動態影像，視覺效果比起過去有了顯著提升。
▲ 工研院在 CES 2020 最新公開的拼接型 Micro LED 室內顯示看板應用，以 15 片 6 cm x 10 cm 模組組成
工研院電光所智能應用微系統組副組長方彥翔博士表示，過去半年在四方共同努力下實現兩大技術升級，即良率提高及多片式組裝。由於良率拉升、壞點問題大幅降低，多片模組拼接也得以實現，動態影像呈現效果也更理想。
「現在藍、綠光 Sub-pixel（單一子畫素）點亮良率超過 99.9 ％『三個9』，紅光經修補後超過 99 ％，我們還在努力往第三個 9 做，」方彥翔指出，RGB 三色的巨量轉移良率幾乎可達百分之百，但點亮良率才是更為關鍵，這表示 Micro LED 必須在轉移下壓到基板上時不破片，通電後又能實際點亮才算成功。
不僅如此，LED 晶圓所需兼備的三項數值標準，包括波長（Dominant Wavelength，Wd）、驅動電壓（Forward Voltage，Vf）和反向漏電（流）（Reverse Leakage (Current)，Ir） ，整體良率也有持續改善拉升，藍綠光整體良率可提高到九成，紅光略低，但已有大幅提升。
工研院與三廠合力開發的超小間距 Micro LED 顯示模組，目前進度已達階段性目標，今年會力拚試量產，並鎖定室內顯示看板（indoor signage）應用推進。
▲ 動態顯示實測
方彥翔提到，工研院下階段 Micro LED 技術會朝電競、擴增實境（AR）與混合實境（MR）方向發展，將分別採用玻璃基板和矽基板研發不同應用產品，看好 Micro LED 技術將比 OLED、LCD 更能發揮優勢。
除了持續開發 Micro LED 顯示應用，工研院今年也將以整合感測器為發展方向，朝微組裝（Micro assembly）技術應用開發與驗證，持續為 Micro LED 技術開創更多可能。
（首圖、圖片、影片來源：《科技新報》攝）
