次代半導體 GaN 看俏!業者:5 年後手機充電全面改用

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 18 日 14:35 | 分類 手機 , 晶片 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


第三代半導體氮化鎵(Gallium nitride、簡稱GaN)商機即將爆發?GaN 功率晶片商 Navitas Semiconductor 預測,5 年後手機充電器將捨棄傳統矽晶片,轉向擁抱 GaN 半導體。

Barron’s報導,Navitas宣稱,他們生產的GaN功率半導體,速度是傳統矽晶片的20倍、並能傳送3倍的電壓,而且尺寸和重量只有矽晶片的一半。Navitas正與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II合併,預定9月底完成相關程序,在美國那斯達克交易所以「NVTS」的代號掛牌。

6月底的投資人會議上,Navitas執行長Gene Sheridan展示使用GaN晶片製成的手機充電器,體積是一般充電器的一半,半小時內就能充飽50%電力。Sheridan說,次世代的GaN充電器,目標8分鐘充飽50%電力。

GaN充電器功能雖然強大,售價也比矽晶片充電器貴上20%。Sheridan預測,兩年內GaN充電器的成本將與矽充電器打平,3年後GaN充電器會比矽充電器更便宜。他預言,再過5年以上時間,整個市場就會轉向GaN。

Navitas認為,GaN擁有龐大的市場潛能,2020年矽功率半導體的市場規模為90億美元,估計2026年增至130億美元。GaN市場有望每年成長兩倍,2026年市值達到20億美元,占整體功率晶片市場的16%。此外,Navitas也生產車載充電器(onboard charger),速度是一般電動車充電器的3倍,相關技術並能協助太陽能面板更為普及。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:pixabay

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