Tag Archives: GaN

台積電計劃釋股，世界先進重挫跌停

作者中央社|發布日期 2026 年 05 月 18 日 10:45 |

分類半導體 , 晶圓 , 晶片

台積電計劃出售世界先進不超過 1 億 5,200 萬股普通股，約世界先進 8.1% 股權。台積電強調不影響與世界先進策略合作關係，仍衝擊世界先進股價重挫跌停。

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GaN 功率晶片商 Navitas 營收展望超優、股價飆 19%

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 02 月 26 日 14:10 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 財報

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）抓住新崛起的 AI 資料中心商機，本季營收展望有望呈現季增，股價應聲飆高。繼續閱讀..

世界先進與台積電簽署 GaN 技術授權！今年初啟動開發作業、2028 上半年量產

作者林妤柔|發布日期 2026 年 01 月 28 日 14:53 |

分類半導體 , 晶圓

世界先進今（28 日）宣布已與台積電簽署高壓(650V)與低壓(80V)氮化鎵(GaN)製程技術的授權協議。此授權協議將協助世界先進加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，應用於資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。繼續閱讀..

氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 |

分類技術分析 , 會員專區 , 汽車科技

新能源車追求高效與輕量化，推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料，GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度，650V 以下電壓平台具優勢，可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢，部分車廠開始導入相關產品，相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟，GaN 的 650V 以下市場成為新興選項，若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良，未來產業有望形成「高壓用 SiC，中低壓用 GaN」互補格局。繼續閱讀..

車用功率半導體 SiC、GaN，十年內預估成長三倍

作者 Chen Kobe|發布日期 2025 年 10 月 22 日 15:15 |

分類交通運輸 , 汽車科技 , 電動車

隨著電動車持續擴大市占，產品競爭日益激烈，採用高階功率半導體的車款只會越來越多，分析機構預估，至 2036 年前，車用功率半導體市場規模將成長三倍之多。繼續閱讀..

AI 與化合物半導體交會，啟動高效能運算之材料革命

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 10 月 15 日 7:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 技術分析

2025 年隨著人工智慧（AI）技術持續推進，高效能電子系統需求快速攀升，其中 AI 應用範疇橫跨從雲端資料中心加速器到終端之邊緣運算裝置，對於資料傳輸頻寬、運算效能、記憶體容量與能效比有更大挑戰。繼續閱讀..

AI 資料中心轉向 HVDC，為 SiC、GaN 元件再啟新局

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 10 月 01 日 7:30 |

分類 AI 人工智慧 , 伺服器 , 技術分析

雲端 AI 運算資源用電量續升，改善耗能聚焦晶片、光通訊、供電架構。AI 伺服器 GPU、ASIC 與 CPU 性能高速成長之際，雲端 AI 運算資源消耗的電力也同樣以驚人速度成長，估計 2023~2028 年單一 AI 運算節點的耗電量或從 36,000W 躍升至 1MW，成長約 2,677%，且至少 2030 年前，仍不會看見 AI 伺服器與一般伺服器的耗電量差距有收斂跡象。繼續閱讀..

氮化鎵晶片突破 800°C，高溫性能大爆發

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 |

分類半導體 , 晶片

在半導體領域，氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）之間的競爭持續升溫。最近，賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下，成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片，這一溫度足以融化食鹽，顯示出其在極端環境下的潛力。

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中國 GaN 供應鏈日趨完整，未來加速擴張

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 07 月 31 日 7:20 |

分類半導體 , 技術分析 , 會員專區

多種因素加速中國本土 GaN 供應鏈成形，中國官方大力支持下，中國廠商積極探索 GaN 元件在電動車、再生能源等領域的應用可能性，並在材料、元件設計或元件製造方面取得顯著成果。繼續閱讀..

第三代半導體產業競爭深化：SiC 震盪促 GaN 垂直整合加速布局

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 07 月 23 日 7:30 |

分類半導體 , 技術分析 , 會員專區

高功率和高頻應用場景，包含 5G / 6G 通訊基地台、航空航太系統，GaN 元件需求將顯著成長，預估 2025 年全球 GaN 功率半導體市場規模為 7.5 億美元，相較 2024 年成長 62.7%，至 2030 年規模約達 43.8 億美元，CAGR 為 42.3%，反映其成長動能正在超越傳統矽基與 SiC 材料。

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Atomera 和 Incize 宣布合作，打造高效 GaN-on-Si 架構

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 10 日 16:00 |

分類半導體 , 晶片

美國 Atomera 與比利時 Incize 宣布合作，結合量子矽膜技術與射頻建模，提升矽基板氮化鎵（GaN-on-Si）效能與穩定性。相較近期破產重整的 Wolfspeed 所採用的高成本碳化矽方案，使 GaN-on-Si 更具製程相容與量產優勢。繼續閱讀..

新型 3D 晶片製造技術，使電子產品更快、更節能

作者 Emma stein|發布日期 2025 年 06 月 25 日 12:18 |

分類半導體 , 尖端科技 , 晶片

麻省理工學院團隊開發一種新製造方法，能以更低成本將高性能氮化鎵電晶體無縫集成至標準矽 CMOS 晶片。繼續閱讀..

中國三大矽晶圓供應商產能快速成長！外資估 2027 年能滿足中國 36% 需求

作者姚惠茹|發布日期 2025 年 06 月 24 日 9:56 |

分類中國觀察 , 半導體 , 晶圓

針對中國矽晶圓、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）市場現況，外資出具最新報告分析，中國本土 12 吋矽晶圓供應商，2024 年能滿足中國 41% 的需求，預估 2027 年將達 54%，而 8 吋 2024 年能滿足 64% 需求，預估 2027 年將達 78%。

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2025 年 GaN 發展將隨著 5G 普及和無線通訊推動下成長

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 06 月 24 日 7:30 |

分類技術分析 , 會員專區 , 材料

氮化鎵（GaN）高頻基板為目前 5G 通訊系統之關鍵材料，與傳統矽基板相比，其具有較佳效率、熱性能和高功率密度。隨著 5G 在全球持續部署，對高頻性能和更高訊號完整性需求不斷成長下，先進基板需求亦隨之增加。GaN 為功率放大器和射頻元件理想選擇，潛在應用領域已從通訊擴展到汽車和工業領域，將進一步鞏固 GaN 在高頻電子領域的地位。繼續閱讀..

GaN 功率晶片商 Navitas 繼輝達後再獲大單股價夯

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 06 月 04 日 16:15 |

分類半導體 , 晶片 , 零組件

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）日前喜獲輝達（Nvidia Corp.）訂單、股價一天暴漲逾 160% 後，逐漸受到市場重視。Navitas 最新發布的聲明稱，已跟法國功率電子公司 BrightLoop Converters 簽訂合作協議，股價聞訊再次衝高。

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