台達子公司碇基推第三代半導體技術,簽訂 4.56 億增資合約

作者 | 發布日期 2022 年 09 月 14 日 16:16 | 分類 半導體 Telegram share ! follow us in feedly


台達子公司碇基半導體,專注於第三代半導體氮化鎵(GaN)技術用於開發功率半導體,今(14)日宣布已完成新一輪 4.56 億新台幣的增資合約簽訂。

台達指出,此次增資也獲得與力智電子(uPI)、中美矽晶(SAS)、日商羅姆半導體(Rohm),以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係,共同加速 GaN 功率半導體技術的發展。

碇基 GaN 解決方案包括領先行業的離散元件產品、系統封裝(SiP)和系統單晶片(SoC)組合,具有卓越的品質、可靠度和耐用性,已通過應用於母公司台達電源系統的嚴格檢驗。碇基半導體總經理邢泰剛博士表示,氮化鎵(GaN)可提供更高效率、更低功耗和優異節能優勢。

圍繞 GaN 新技術的演進,相關生態系統正在不斷發展,新應用也不斷湧現,邢泰剛表示,很高興能與力智 uPI、中美矽晶 SAS、羅姆 Rohm 等業界先進成為戰略合作夥伴,也感謝母公司台達持續在內部事業單位中孕育與碇基合作的可能性。這個組合將使我們能夠在材料、控制 IC 設計、應用和系統解決方案等面向,建構全面性的整合能力,並加速打造出具有更高競爭力的 GaN 技術應用。

(首圖來源:科技新報)