台達子公司碇基推第三代半導體技術，簽訂 4.56 億增資合約

台達子公司碇基半導體，專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術用於開發功率半導體，今（14）日宣布已完成新一輪 4.56 億新台幣的增資合約簽訂。

台達指出，此次增資也獲得與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速 GaN 功率半導體技術的發展。

碇基 GaN 解決方案包括領先行業的離散元件產品、系統封裝（SiP）和系統單晶片（SoC）組合，具有卓越的品質、可靠度和耐用性，已通過應用於母公司台達電源系統的嚴格檢驗。碇基半導體總經理邢泰剛博士表示，氮化鎵（GaN）可提供更高效率、更低功耗和優異節能優勢。

圍繞 GaN 新技術的演進，相關生態系統正在不斷發展，新應用也不斷湧現，邢泰剛表示，很高興能與力智 uPI、中美矽晶 SAS、羅姆 Rohm 等業界先進成為戰略合作夥伴，也感謝母公司台達持續在內部事業單位中孕育與碇基合作的可能性。這個組合將使我們能夠在材料、控制 IC 設計、應用和系統解決方案等面向，建構全面性的整合能力，並加速打造出具有更高競爭力的 GaN 技術應用。

（首圖來源：科技新報）