品勛科技×是德科技「氮化鎵元件研討會」,解析第三代半導體 GaN 創新技術與應用

作者 | 發布日期 2022 年 09 月 23 日 14:54 | 分類 半導體 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


品勛科技與是德科技將於 10/20 舉辦「確保寬能隙半導體 GaN 氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會」,特邀講師包含國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理。

憑藉著優異的材料特性,寬能隙半導體元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si 的成本優勢把氮化鎵元件變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求。GaN-on-Si 的材料缺陷使得用於氮化矽的靜態量測與可靠度評估已不足以代表氮化鎵元件在真實系統中的動態表現。

要加速氮化鎵元件商業化、量產化,首先要能實現元件在實際操作狀態下的真實動態效果,才能確保元件的穩定及可用性,然而動態量測與動態可靠度分析可幫助元件開發者改善元件、正確評估元件的功率損耗及老化速率。本研討會特別邀請國立陽明交通大學吳添立教授前來分享高功率高頻 GaN HEMT 最新技術與挑戰,爾後將由宏汭精測林明正總經理針對氮化鎵元件動態量測進行解析,加速第三代半導體 GaN 邁向廣泛應用。

(首圖來源:Shutterstock;資料來源:品勛科技)