朝 8 吋晶圓邁進,ST 攜手 Soitec 開發 SiC 基板製造技術

作者 | 發布日期 2022 年 12 月 07 日 17:21 | 分類 半導體 , 晶圓 line share follow us in feedly line share
朝 8 吋晶圓邁進,ST 攜手 Soitec 開發 SiC 基板製造技術


意法半導體(ST)今日創新半導體材料設計製造公司 Soitec 聯手宣布宣布下一階段的碳化矽(SiC)基板合作計畫,ST 準備於 18 個月內完成 Soitec 碳化矽基板技術產前認證測試。此次合作目標為 ST 採用 Soitec 的 SmartSiC 技術製造未來 8 吋碳化矽基板,促進碳化矽元件與模組製造之業務,這項技術有望在中期實現並量產,以支援汽車電動化並提高工業系統效能。

ST 表示,SmartSiC 為 Soitec 獨家技術,此技術能從高品質的碳化矽供體晶圓上切出一個薄層,並將其黏合到待處理之低電阻多晶矽晶圓片表面,而加工後的基板便能提高晶片的性能及製造良率;優質的碳化矽供體晶圓亦可多次重覆使用,大幅降低供體加工的總能源消耗。而從 6 吋升級至 8 吋晶圓,能夠大幅增加產能,製造整合電路的可用面積幾乎是增加一倍,每個晶圓上的有效出片量為升級前的 1.8 至 1.9 倍。

意法半導體汽車和離散元件部總裁 Marco Monti 指出,汽車和工業客戶正在加速推動系統及產品電動化,升級至 8 吋 SiC 晶圓將為其帶來巨大益處,產品產量提升對於推動規模經濟非常重要。為此,ST 選擇利用垂直整合的製造模式,而與 Soitec 技術合作目標旨在持續提升製造良率和品質。

(首圖來源:ST)