美晶片法補助規則出爐，三星西安廠技術前進恐受阻

美國晶片法案補助規則出爐，獲補助的企業須分享多餘獲利，且須同意限制本身在中國這類國家擴大半導體產能的能力。市調機構集邦科技認為，對台積電影響有限，三星（Samsung）西安廠未來製程技術推進恐受阻。

路透社報導，美國商務部將在今年6月底開始受理390億美元（約新台幣1兆2,000億元）半導體製造補助方案申請，規定申請超過1.5億美元（約新台幣46億元）直接資金補助的企業，若有任何現金流或收益超出申請方的預估值，且超出幅度高於商定的門檻，必須把其中一部分與美國政府分享。

此外，爭取到補助的企業，禁止將晶片資金用於發放股利或購買庫藏股，且若在5年內有任何購買自家股票的計畫，必須提供相關細節；並在贏得補助後的10年內，限制自身在中國等有疑慮國家擴大半導體產能的能力，也不能與有疑慮的外國實體從事任何聯合研究或技術授權行為，只要是涉及敏感科技。

集邦科技半導體產業分析師喬安表示，商務部這次公布的細節，較特別的是申請方須與聯邦政府分享部分超出預估值的獲利，以及直接補助金額（directfunding awards）大多會落在建廠計畫資本支出的5%至15%內，若包含貸款或貸款擔保（loan and loanguarantee）則最高不超過35%。

喬安說，這兩項規定皆僅針對補助金額提出更明確的條款，日後將陸續宣布申請細則等，對於現階段的計畫尚無直接影響。

喬安認為，對於晶圓代工廠較直接的影響為先前所提及，美國政府限制請領美補助金額的廠商未來10年內在中國（或其他對美國國安有疑慮的國家）的投資計畫。

喬安說，美國補助法案申請廠商當中，台積電及三星為同時於美國及中國有投資案的晶圓代工廠，其中，台積電南京廠近期計劃擴充28奈米成熟製程，且擴產已經大致完成，暫無下一階段擴產計畫，因此較不受美政策影響。

三星並沒有邏輯晶片代工廠位於中國，不過喬安表示，三星位於西安的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠恐將面臨製程無法推進的窘境。

台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真說，美國晶片法案設下比較多的限制，預期廠商未來申請領取補助款，將面臨層層關卡審核，時程可能會有遞延情況。

劉佩真表示，赴美設廠的台灣廠商將面臨較高的勞動力等成本，未來美國廠營運壓力恐將升高。她還說，其他國家是否藉由積極補助，拉攏國際半導體業者到當地投資，值得觀察。

（作者：張建中；首圖來源：Unsplash）