KAIST 研發外延新技術，可提高 Micro LED 效率

韓國科學技術院（KAIST）電氣電子工程系 Sang Hyeon Kim 教授團隊，22 日發表重新研究 Micro LED（μLED）效率下降現象後，可透過外延結構工程從根本解決問題。

Micro LED製造需透過刻蝕製程，將晶圓上生長的外延結構切割成圓柱體或長方體形狀，刻蝕製程伴隨基於等離子體的製造製程。然而等離子體會在Micro LED畫素製造過程在畫素側壁形成缺陷。

畫素尺寸變小和解析度提高，畫素表面積與體積比增加，加工過程的器件側壁缺陷將降低Micro LED器件效率。已有大量側壁缺陷減輕或去除的研究，但效果有限，且必須在外延結構生長完後處理階段執行。

Sang Hyeon Kim團隊發現，Micro LED器件執行期間，基於外延結構，流向Micro LED側壁的電流有差異。團隊構建一種對側壁缺陷不敏感的外延結構，以解決Micro LED器件小型化導致效率降低問題。

與現有外延結構相比，本次結構使Micro LED器件執行時產熱減少約40%，對超高解析度Micro LED顯示器商業化有重要意義。

▲ 由不同厚度量子勢壘（quantum barriers）的外延結構製成的Micro LED在電流運行時電致發光分布圖。

▲ 相同光量下不同外延結構的熱分布圖。

▲ 按尺寸最佳化外延結構製造的μLED器件歸一化外量子效率。

Sang Hyeon Kim教授表示，技術發展對找出Micro LED效率下降原因有重要意義，效率下降是Micro LED微型化的障礙，透過外延結構新設計可解決問題，期待這項技術可用於製造超高解析度顯示器。

研究3月17日發表於《自然》期刊。

（譯者：Irving；本文由 LEDinside 授權轉載；首圖來源：shutterstock）