長江存儲國產化產線取得進展，最快 2024 年試產

2022 年美國商務部將中國記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 列入出口管制黑名單，限制取得先進半導體設備與技術後，長江存儲一直計劃以國產設備取代，繼續研發與生產先進記憶體。最近外媒報導，長江存儲已有進展。

南華早報報導，2022 年長江存儲有望憑旗艦 232 層堆疊 X3-9070 3D NAND Flash 快閃記憶體挑戰領先者南韓三星、SK 海力士和美商美光，但量產前遭美國列入出口管制黑名單，半導體設備供應商科磊和科林研發不得不停止供貨長江存儲，導致長江存儲陷入瓶頸。

知情人士指出，後長江存儲加倍努力與中國供應商合作，以製造採 Xtacking 3.0 架構的記憶體晶片。代號「武當山」的機密專案，去美化產線發展也有進展，為整個產線採用中國廠商生產設備，長江存儲已下了大訂單，包括北方華創設備，甚至要求供應商去除設備標識和其他標記，以降低美國制裁風險。

南華早報稱長江存儲和北方華創等企業都沒有回應。產業專家表示中國半導體製造供應鏈仍有「瓶頸」，因科磊計量工具或艾司摩爾、日本 Nikon 和 Canon 微影曝光設備，中國製造商都沒有能力製造替代品，故不清楚長江存儲如何突破困境，也不清楚是否於長江存儲總部湖北武漢進行。

自從美國限制中國取得先進半導體設備及技術後，中國一直試圖解決問題，尤其指標企業長江存儲，中國「大基金」補助高達 70 億美元新資金，希望繼續發展先進半導體產品。最近《金融時報》指出，長江存儲首條去美化產線預定 2024 年試產。

長江存儲以前是中國 3D NAND Flash 快閃記憶體與外商競爭的最大希望。市場研究調查機構統計，長江存儲 NAND Flash 全球市場市占率約 6%，但 2022 年 10 月美國政府限制出口中國半導體設備、技術、服務甚至人才後，長江存儲要生產比 128 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體更先進的產品，可說是困難重重。

(首圖來源：長江存儲)