SK 海力士擬擴大無錫廠舊製程產能，消費級 DRAM 價格恐難反彈

據 TrendForce 表示，美國商務部 2022 年 10 月 7 日頒布半導體限制措施，中國境內 18 奈米以下設備進口需經商務部審查。SK 海力士（SK hynix）無錫廠獲一年生產許可，但擔憂地緣政治風險升高，加上需求清淡導致庫存壓力持續，今年第一季開始減產，每月投片量減少約 30%。

TrendForce表示，無錫廠主流製程為1Y奈米，原先計劃將產能持續轉進1Z奈米，並降低舊製程產量。然未來製程轉進受限美禁令影響，故SK海力士決議提升21奈米產線比重，主要產品為DDR3、DDR4 4Gb。長期而言，SK海力士擴產重心將轉回南韓，無錫廠則供應中國內需，以及較舊製程的消費級DRAM市場。

DDR3、DDR4 4Gb占SK海力士整體消費級DRAM出貨不到三成，但由於SK海力士延長舊製程產線，小容量Consumer DRAM供給量將會逐漸增加。分析台系相關產品供應鏈，南亞科（Nanya）、華邦（Winbond）及協助IC設計廠代工的力積電（PSMC）都有供應DDR3 4Gb，DDR4 4Gb則以南亞科為主。以各廠製程節點角度來看，DDR3 4Gb三大廠與南亞科製程約20奈米；DDR4 4Gb方面，三星（Samsung）20奈米與1X奈米都有供應，且有意下半年轉進至1Z奈米，製程結構最領先；美光（Micron）則無供應此容量顆粒；SK海力士與南亞科約20奈米。整體看，其他台廠主流產品為DDR3，且製程仍位於25奈米節點，雖華邦、力積電都在開發20奈米，但量產前製程仍較落後。

需求尚未持穩，消費級DRAM第二季價格持續下跌

從第一季消費級DRAM需求端看，因電視庫存去化較早，因此SoC近期訂單小幅增加，需求相對好轉；車用需求雖有一定支撐，但目前市場規模仍小；網通需求能見度仍低，買方普遍保守看待，且認為下半年訂單需求還會降低。TrendForce表示，儘管原廠陸續減產消費級DRAM，但納入庫存水位計算，整體仍處供過於求，預估第二季均價仍有10%~15%跌幅。值得注意的是，由於消費級DRAM僅占整體DRAM市場消耗量約8.5%，長期來看，SK海力士無錫廠產能陸續開出後將對其他原廠造成供貨壓力，價格反彈恐更困難。

TrendForce將於5月25日於台大醫院國際會議中心402廳舉行「高速運算晶片助攻，AI新興解決方案應運而生」研討會，邀請TrendForce分析師喬安及產業代表日月光、IBM、Supermicro、愛普科技、耐能智慧、ARM等一同參與，聚焦AI延伸的相關技術發展。

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