Sk 海力士量產 238 層堆疊 NAND Flash,速率較前代提高 50%

作者 | 發布日期 2023 年 06 月 08 日 15:00 | 分類 儲存設備 , 半導體 , 晶片 line share follow us in feedly line share
Sk 海力士量產 238 層堆疊 NAND Flash,速率較前代提高 50%


南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布,2022 年 8 月開發完成後,已經開始量產 238 層堆疊 4D NAND Flash 快閃記憶體,且產品兼容性與全球智慧手機製造商測試中。

SK 海力士表示 238 層堆疊技術 NAND Flash,已能為智慧手機和 PC 儲存設備 SSD 開發新解決方案,並於 5 月量產。238 層堆疊 NAND Flash 較上一代 176 層堆疊價格、性能和品質都有世界級競爭力,SK 海力士預估下半年將推動獲利成長。

SK 海力士強調,238 層堆疊技術 NAND Flash 與上代 176 層堆疊 NAND Flash 相較,製造效率提高 34%,成本競爭力顯著提升,憑每秒 2.4Gb 資料傳輸速度,也較上代提升 50%,讀寫速度提升約 20%,SK 海力士有信心為智慧手機和 PC 客戶提供高品質 SSD 產品。

SK 海力士完成與全球智慧手機商兼容性測試後,將開始供應 238 層堆疊 NAND Flash 產品,並擴展到產品組合,如 PCIe 5.0 SSD 和大容量伺服器 SSD。

S238 NAND Flash 負責人 Jumsoo Kim 表示,將克服 NAND Flash 技術限制,並提高競爭力,以便在市場反彈時比任何公司進步更多。

(首圖來源:SK 海力士)