傳長江存儲準備下代 Xtacking 4.0 NAND,採串堆疊技術避禁令

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 17 日 12:26 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
傳長江存儲準備下代 Xtacking 4.0 NAND,採串堆疊技術避禁令


根據長江存儲內部文件顯示,長江存儲正在開發下代 3D NAND 儲存架構 Xtacking 4.0。目前長江存儲已向同業透露 Xtacking 4.0 系列包括 128 層 X4-9060 3D TLC 和 232 層 X4-9070 3D TLC NAND 裝置,可用於製造最好的固態硬碟。

正在開發的兩款 Xtacking 4.0 裝置沒有增加層數的計畫,但隨著時間推移,這一系列可能用途更廣。據了解,長江存儲計劃對兩種裝置採串堆疊技術(String Stacking),從技術看,公司將生產 64 層和 116 層 3D NAND 陣列,半導體設備廠可繼續提供設備,而不會違反美國出口規定。

還不清楚長江存儲 Xtacking 4.0 有哪些優勢,但每推出一個新節點,都會提高資料傳輸速率和儲存密度。由於美國出口禁令,長江存儲無法獲得所有工具,但也許 Xtacking 4.0 能在某程度上解決局限性。

長江存儲透過 Xtacking 3.0 架構大量生產 232 層 3D TLC NAND 記憶體已過逾一年,最近又推出 128 層 3D TLC 和 232 層 3D QLC 產品,擴大 Xtacking 3.0 系列產品線。Xtacking 3.0 系列採用串堆疊和混合鍵合技術,晶片CMOS 部分則採用較舊製程。

據美、日、荷政府規定,晶圓廠設備製造商應獲得出口許可證,才能銷售用於製造 128 層或更多 3D NAND 的設備,但將多層數(少於128 層)晶圓堆疊在一起似乎沒有明確限制,因此中國實體也有機會透過這個漏洞獲得更多晶圓製造工具。

(首圖來源:長江存儲

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