中國科學家帶來新型超導材料革命性發現，其獨特晶格結構刷新過渡金屬硫化物超導體新紀錄，轉變溫度達 11.6 K，使超導體研究取得重大進展。
過渡金屬二硫屬化物（TMD）材料因表現出超導電性、二維半導體、拓樸量子物態等優勢，在催化、儲能、積體電路等領域擁有廣泛應用前景，是目前材料學界投入研究的明星材料。
TMD 材料關鍵特徵為二維結構大原子間的相互作用，如二碲化鎢（WTe2）表現出反常巨磁阻和超導性，但 TMD 超導體的超導轉變溫度相對較低，限制其潛在用途。
近日，中國科學院合肥物質院強磁場科學中心低功耗量子材料團隊、中國科學院理化技術研究所團隊合作，利用穩態強磁場實驗裝置（Steady High Magnetic Field Facility，SHMFF）在過渡族金屬硫化物超導電性研究取得重要進展。
研究團隊在二硒化鈮（NbSe 2）材料的凡德瓦接面處插入 InSe 2，成功製備出化學式為 (InSe 2 ) x NbSe 2、具獨特晶格結構的新型超導材料。
研究人員透過 X 射線衍射、高分辨能譜分析等方法確定該材料結構（見下圖），發現 (InSe 2 ) x NbSe 2 樣品超導轉變溫度在環境壓力下高達 11.6 K，比原始二硒化鈮超導轉變溫度高 60%。
▲ （InSe2）x NbSe2 超導體的晶格結構與超導轉變溫度。（Source：中國科學院合肥物質院強磁場科學中心）
新材料在常壓下超導轉變溫度超越所有 TMD 超導體，且表現出相當高的臨界電流密度；進一步測量該材料臨界電流密度達 8.2×10 5 A/cm 2，和銅氧化物、鐵基超導體相媲美，表明該材料具重要應用價值，推進了超導研究、性能更好的高溫超導體研究進展。
新論文發表在《美國化學會期刊》。
（首圖來源：pixabay）
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