美光傳擴大美國 HBM 產能，考慮首度赴馬來西亞生產

市場謠傳，記憶體大廠美光（Micron Technology）在美國建造先進高頻寬記憶體（HBM）試產線，並考慮首次赴馬來西亞生產 HBM，以抓住更多 AI 需求浪潮。

日經19日引述未具名消息人士報導，美光正在位於愛德荷州波夕（Boise）總部擴充HBM相關研發設施，當中包括生產及驗證線。另外，美光也考慮在馬來西亞打造HBM產能，該公司在當地已設有晶片測試及組裝廠。

美光規模最大的HBM生產基地位於台灣台中市，此處也在擴產中。美光已設定目標，準備在2025年底前將HBM市占拉高三倍以上至24%~26%，跟該公司傳統DRAM的市占相去不遠（約23%~25%）。

美光已和SK海力士（SK Hynix）獲得輝達（Nvidia Corp.）認證，可為AI晶片「H200」生產HBM3E。三星電子（Samsung Electronics Co.）尚未獲輝達放行，較不先進HBM3、HBM2E主要供應超微（AMD）、Google及亞馬遜（Amazon.com）。

輝達執行長黃仁勳（Jensen Huang）4日台北國際電腦展（COMPUTEX）表示，輝達正在檢驗三星及美光HBM。「我們只需完成工程作業，目前還沒有。」「我原本希望昨天就能結束工作，但事與願違，我們需要耐心。」

媒體問到路透社報導三星HBM面臨過熱及功耗問題時，黃仁勳僅說「那裡面沒有故事」。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：科技新報）

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