均價上揚與 HBM、QLC 崛起，2025 年記憶體產業營收將創新高

根據 TrendForce 最新記憶體產業分析報告，受惠於位元需求成長、供需結構改善拉升價格，加上 HBM 等高附加價值產品崛起，預估 DRAM 及 NAND Flash 產業 2024 年營收年增幅度將分別增加 75% 和 77%。而 2025 年產業營收將持續維持成長，DRAM 年增約 51%、NAND Flash 年增到 29%，創歷史新高，推動資本支出回溫、帶動上游原料需求，惟記憶體買方成本壓力將隨之上升。

HBM興起推升DRAM營收

TrendForce估計，預估受惠於DRAM均價今年增加53%、2025年增加35%，再推升2024年DRAM營收達907億美元、年增75%，2025年達1,365億美元、年增51%。

TrendForce表示，四項驅動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和Server需求復甦。相較一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高產業平均價格。2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。

此外，DDR5和LPDDR5 / 5X等高附加價值產品的滲透同樣有助提高平均價格。TrendForce估計，DDR5分別貢獻2024、2025年伺服器DRAM位元出貨量40%、60%~65%，LPDDR5 / 5X會貢獻2024、2025年行動DRAM位元出貨量50%和60%。

QLC大容量企業級SSD，UFS助益2025年NAND Flash營收創紀錄

TrendForce估計，今年NAND Flash營收達674億美元、年增77%；2025年大容量QLC企業級SSD崛起、智慧手機採QLC UFS、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復甦四項因素帶動，NAND Flash營收達870億美元、年增29%。北美CSPs已開始在inference AI伺服器大量採QLC企業級SSD，尤其大容量規格。TrendForce預估，QLC貢獻今年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年再提升。智慧手機應用，QLC預計逐步滲透UFS市場，部分中國智慧手機業者第四季起採用QLC UFS方案，蘋果2026年開始導入iPhone。

DRAM、NAND Flash營收攀高影響產業生態

TrendForce表示，記憶體產業營收創紀錄下，原廠有足夠現金流加速投資。2025年DRAM、NAND Flash產業資本支出分別年增25%、10%，且有機會上修。此外，記憶體生產規模提升帶動對矽晶圓、化學品等上游原料需求，但相反的，記憶體價格上漲將增加電子產品成本，ODM / OEM業者較難完全成本反映至零售價，利潤勢必將被壓縮，終端銷量也可能受到壓抑，導致需求下滑。

（首圖來源：shutterstock）