中芯國際 5 奈米能耗大躍進!華為考量點恐是成本

作者 | 發布日期 2024 年 07 月 25 日 12:13 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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中芯國際 5 奈米能耗大躍進!華為考量點恐是成本

中國最大半導體製造商中芯國際利用現有 DUV 設備成功開發出 5 奈米技術,雖仍有許多障礙需克服,但可能已有很大進展。中國 3C 達人「數碼閒聊站」在微博上指出,中國國產 5 奈米晶片,能耗表現比預期強不少。

不過「數碼閒聊站」提到國產 5 奈米時,特地用上下引號括起來,讓人懷疑是否需要重新定義 5 奈米。但從目前消息看,華為今年發表下一款麒麟晶片組時,不一定會採用中芯國際 5 奈米技術,目前也還沒有最新傳聞。

中芯國際 7 奈米製程目前用於華為麒麟 9000S 和麒麟 9010,採用 N+2 實現更高電晶體密度。華為預期今年發表 Mate 70,比起 5 奈米製程,外界預期更可能是採 7 奈米的 N+3 升級技術,比麒麟 9010 擁有更高的電晶體密度。

由於美國貿易制裁,中芯國際無法採購最先進 EUV 設備,但這對下一代晶圓量產非常重要,目前該公司只能仰賴較舊的 DUV 設備推進製程,但也使成本上升不少。據悉,在相同曝光技術下,中芯國際 5 奈米晶圓成本將比台積電高 50%,因為良率低、時間耗費長,都不斷影響產能。外媒 WCCFtech 指出,除非中芯國際透過各種「試驗和錯誤」來提高良率,否則華為採用的成本將太高。

(首圖來源:中芯國際

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