美光（Micron）於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ（1-gamma）製程技術的 16Gb DDR5 記憶體，這是美光首次採用 極紫外光（EUV）曝光技術。新記憶體不僅比前代產品具備更高效能、功耗更低，製造成本有望進一步下降。此外，美光表示，其 1γ 製程技術（第六代 10nm 級節點）未來將應用於其他 DRAM 產品。
美光基於 1γ 製程的主力產品為 16Gb（2GB） DDR5 記憶體，在業界標準電壓 1.1V 下運行時，資料傳輸速率達 9200 MT/s。與前代 1β 製程的 16Gb DDR5 記憶體相比，新款記憶體耗電量降低 20%，位元密度提升 30%，當新晶片的良率達到 1β 16Gb DRAM 的水準時，製造成本預計將下降。
美光指出，1γ DRAM 是繼領先業界的 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣 AI 設備（如 AI PC、智慧型手機及汽車等）等未來運算平台。
雖然美光將其最新 16Gb DDR5 記憶體標示為 9200 MT/s，但此速度明顯高於 DDR5 最新規範中的標準速率。美光強調，該晶片仍可在 JEDEC 規範的標準速度下正常運行，而較高的速度等級則可與未來 CPU 有一定相容性。美光還指出，CUDIMM 或基於 CXL 的記憶體模組有望利用超越 JEDEC 標準的更高頻率，且發燒級 DIMM 產品也可能採用這些新 DRAM，打造突破 10,000 MT/s 的超頻模組。
美光目前正與筆電和伺服器製造商測試基於 1γ 製程的 16Gb DDR5 記憶體晶片與模組，並進行抽樣測試，預計將在一或兩季內完成資格審核，意味美光最新記憶體產品有望 2025 年中旬開始進入市場。美光預期，桌上型電腦、筆記型電腦及伺服器等所有類型的記憶體模組都將採用這款新晶片。
隨著時間推移，美光將利用 1γ 製程技術生產其他類型的記憶體產品，包括 GDDR7、LPDDR5X（最高可達 9600 MT/s） 以及資料中心級產品，使 1γ 節點成為公司核心技術主力。
美光 1γ 製程是該公司首次採用極紫外光（EUV）微影製程，其他領先的記憶體製造商數年前就已導入 EUV。雖然美光較晚採用，但 1γ 製程相較於現有產品線具備顯著優勢。
美光並未透露 1γ 製程使用多少層 EUV，但推測主要是在關鍵層導入 EUV 微影技術，這些層若使用傳統的多重曝光（multi-patterning）技術，將延長生產周期並影響良率。美光表示，1γ 製程採用 EUV 搭配深紫外光（DUV）多重曝光技術，並引入新一代高介電常數金屬閘極（High-K Metal Gate）與全新後段製程（Back-End-of-Line，簡稱 BEOL）電路。
目前美光 1γ DRAM 主要在日本晶圓廠生產，該廠於 2024 年 安裝美光首套 EUV 設備。隨著 1γ 記憶體產量提升，美光計畫在日本與台灣晶圓廠增加更多 EUV 設備。
美光科技執行副總裁暨技術和產品執行長 Scott DeBoer 表示，美光運用其開發專有 DRAM 技術的專業知識，搭配 EUV 微影技術的策略性運用，形成頂尖 1γ 記憶體的強大產品組合，以推動 AI 產業生態系統向前邁進。
- Micron Announces Shipment of 1γ (1-gamma) DRAM: Pioneering Memory Technology Advancements for Future Compute Needs
- Micron unveils DDR5-9200 memory: 1γ process technology with EUV
（首圖來源：美光）
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