Tag Archives: DDR5

美光首採 EUV 1γ 製程 DRAM 開始出貨,將在日、台量產

作者 |發布日期 2025 年 02 月 26 日 13:17 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

美光(Micron)於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ(1-gamma)製程技術的 16Gb DDR5 記憶體,這是美光首次採用 極紫外光(EUV)曝光技術。新記憶體不僅比前代產品具備更高效能、功耗更低,製造成本有望進一步下降。此外,美光表示,其 1γ 製程技術(第六代 10nm 級節點)未來將應用於其他 DRAM 產品。 繼續閱讀..

中國長鑫存儲追趕韓國 DRAM 製程,15 奈米今年開發明年量產

作者 |發布日期 2025 年 02 月 12 日 14:45 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

韓國媒體報導,中國記憶體廠商中國長鑫存儲(CXMT)加速開發下代 DRAM。沒有按照原計劃為首款商用的 DDR5 產品採 17 奈米製程,而是更先進 16 奈米。下代 15 奈米也在現有基礎上開發,目標是 2025 年完成,2026 下半年商業化。

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中國長鑫存儲 DDR5 良率達 80%,還力拚 2025 年少量生產 HBM2

作者 |發布日期 2025 年 01 月 03 日 9:30 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

外媒報導,中國第三方記憶體模組製造商開始銷售中國長鑫存儲(CXMT)生產的 DDR5 晶片的 DDR5 DRAM 記憶體模組。長鑫存儲是中國最大唯一製造 DDR4 / LPDDR4 廠商,現在終於切入 DDR5 / LPDDR5 生產,國際大廠關注是否傾銷海外,動搖市場生態。

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中國長鑫存儲量產 DDR5,是否低價傾銷引關注

作者 |發布日期 2024 年 12 月 21 日 11:00 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

外媒報導,中國第三方記憶體模組製造商已開始向市場銷售採用中國長鑫存儲(CXMT)生產的 DDR5 記憶體晶片的 DDR5 DRAM 記憶體模組。由於長鑫存儲從未公開宣布其 DDR5 量產,因此一但大量生產足夠的 DDR5 晶片,並出售給第三方模組製造商,這可能會產生重大的市場影響,特別是如果它開始向市場傾銷低於標準定價的產品。

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需求展望疲弱、庫存與供給上升,2025 年 DRAM 價格走勢看跌

作者 |發布日期 2024 年 11 月 18 日 14:37 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

第四季為 DRAM 產業議定合約價的關鍵時期,TrendForce 最新調查,製程較成熟 DDR4 和 LPDDR4X 供應充足、需求萎縮,價格呈現跌勢。DDR5 與 LPDDR5X 等先進製程需求展望尚不明確,加上部分買賣方庫存水位偏高,價格不排除第四季末開始下跌。 繼續閱讀..

迎戰 AI 與永續浪潮,宇瞻 COMPUTEX 展期秀最強戰力

作者 |發布日期 2024 年 06 月 04 日 9:00 | 分類 半導體 , 記憶體

COMPUTEX 展期將至,記憶體模組廠宇瞻同期將展出最新工控解決方案與消費性儲存產品,包含適用於 AI 伺服器的 DDR5、適用邊緣伺服器的各類型 SSD 與即刻備份救援技術 CoreSnapshot 3,還有磁吸式 SSD 與高速 Gen5 產品,以及護眼與愛地球兼具的膽固醇電子紙裝置。宇瞻藉由多元化的產品布局,迎戰 AI 與永續時代來臨,敬邀國際貴賓親臨台北南港雅悅會館三樓斐儷廳實際體驗。

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DRAM 廠陸續恢復生產,影響第二季總 DRAM 位元產出低於 1%

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 14:30 | 分類 半導體 , 自然科學 , 記憶體

TrendForce 的 403 震後 DRAM 產業影響調查,各供應商檢修及報廢晶圓數量不一,且廠房設備制震能力均達一定效果,整體衝擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等,均大致恢復 100% 產線運作,僅美光轉進至先進製程,多為 1 alpha 與 1 beta 奈米,對整體 DRAM 產出位元占比影響較高;其餘台灣 DRAM 廠仍停在 38、25 奈米,產出占比較小。整體而言,403 地震對第二季 DRAM 產出位元影響可控制在 1% 內。 繼續閱讀..

供應商積極拉高合約價,然需求能見度仍不佳,第二季 DRAM 價格漲幅收斂至 3%~8%

作者 |發布日期 2024 年 03 月 26 日 14:38 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

觀察 DRAM 供應商庫存雖降低,但未恢復健康水位,且虧損逐漸改善,提高產能利用率。不過今年整體需求展望不佳,加上去年第四季起供應商大幅漲價,庫存回補動能逐漸走弱,TrendForce 預估第二季 DRAM 合約價季漲幅收斂至 3%~8%。 繼續閱讀..