電動車（EV）成長放緩，加上中國廠商增產，導致供應過剩、價跌，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas Electronics）傳出放棄生產 EV 用碳化矽（SiC）功率半導體。
日經新聞上週五（5月30日）報導，瑞薩已放棄生產EV用SiC功率半導體。瑞薩原先計劃在2025年初期利用高崎工廠開始生產EV用SiC功率半導體，不過因EV銷售放緩、市況惡化，加上中國半導體廠商接受中國政府補助增加產量，因此研判恐難於獲利。瑞薩已解散高崎工廠的SiC團隊，且除了放棄生產EV用SiC功率半導體之外，瑞薩也修正矽製功率半導體的生產計畫。
據報導，因歐洲結束補助金、導致EV銷售增幅未如預期，加上中國企業增產、供應陷入過剩，半導體商社負責人表示，「價格持續下跌」。
報導指出，和現有的矽相比、SiC能承受更大的電流，使用於EV的話、能提高續航距離。SiC功率半導體需求雖預估將擴大，不過據調查公司富士經濟指出，2024年SiC功率半導體市場規模年增18%至3,910億日圓、低於原先（2024年2月）預估的4,915億日圓。
瑞薩5月30日重挫3.57%、收1,783日圓。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：瑞薩電子）
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