碳化矽(SiC)材料領導廠商 Wolfspeed, Inc. 喜獲獨立研究機構 Citrini Research 推薦,股價應聲飆高。 繼續閱讀..
Citrini 力推、Wolfspeed 飆 碳化矽股 Navitas 同歡 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 05 月 14 日 10:00 | 分類 半導體 , 材料 |
SK keyfoundry 成功開發 450V-2300V SiC 平面 MOSFET 製程平台,斬獲 1200V 新品訂單,正式開啟 SiC 業務全面布局 |
| 作者 PR Newswire|發布日期 2026 年 03 月 13 日 14:00 | 分類 半導體 , 市場動態 , 零組件 | edit |
韓國 8 吋純晶圓代工廠(Foundry)SK keyfoundry 宣布,公司近期已完成 SiC(碳化矽)平面 MOSFET 製程平台的開發。目前,該平台在新一代化合物功率半導體市場中深受青睞。此外,公司也透露已獲得一家新客戶的 1,200 V SiC MOSFET 產品開發訂單,其全面啟動 SiC 化合物半導體代工業務。
氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析 |
| 作者 拓墣產研|發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 | 分類 技術分析 , 會員專區 , 汽車科技 | edit |
新能源車追求高效與輕量化,推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料,GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度,650V 以下電壓平台具優勢,可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢,部分車廠開始導入相關產品,相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟,GaN 的 650V 以下市場成為新興選項,若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良,未來產業有望形成「高壓用 SiC,中低壓用 GaN」互補格局。 繼續閱讀..
PCIM Asia 2025:車用 SiC 功率半導體即將進入「紅海淘汰賽」 |
| 作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2025 年 10 月 14 日 7:30 | 分類 半導體 , 技術分析 , 晶片 | edit |
今年 9 月於上海新國際博覽中心舉行的 PCIM Asia 2025 展覽,是一項針對電力電子產品產業鏈舉辦的展會。此展會不僅是各大國際與中國廠商展示新產品的舞台,更是觀察產業競爭格局、技術路線與供應鏈重組的最佳窗口。身為核心零件的 SiC 功率半導體,面臨價格競爭、良率改善等問題,雖然突顯功率半導體產業的蓬勃發展,但同時也預告未來可能走向一場「紅海淘汰賽」。 繼續閱讀..
氮化鎵晶片突破 800°C,高溫性能大爆發 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 | 分類 半導體 , 晶片 | edit |
在半導體領域,氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)之間的競爭持續升溫。最近,賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下,成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片,這一溫度足以融化食鹽,顯示出其在極端環境下的潛力。
