華為任正非說中國晶片落後美國一代,原因在這技術

作者 | 發布日期 2025 年 06 月 11 日 14:40 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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華為任正非說中國晶片落後美國一代,原因在這技術

外媒報導,華為執行長任正非表示,華為最新晶片與美國相比,僅落後一代。

X90 處理器由華為設計,並由中芯國際(SMIC)製造,華為 5 奈米處理器與 iPhone 等旗艦智慧手機 3 奈米相比,確實落後一代。台積電和三星 2026 年開始出貨 2 奈米晶片。

Phonearena 報導,華為與中芯國際核心挑戰源於美國壓力,無法從全球唯一極紫外光(EUV)微影設備製造商荷蘭 ASML 公司購入 EUV 設備。華為和中芯國際只能用較舊深紫外光(DUV)微影設備,使他們追不上台積電和三星。EUV 能在矽晶圓刻畫更小圖像,塞入更多電晶體。電晶體越多,性能就越強大,能效也越高。

為了量產 5 奈米 Kirin X90 處理器,中芯國際傳採「自對準四重圖案化」(SAQP)多重圖案化技術。通常情況,7 奈米以下都需用 EUV,但用 SAQP,中芯國際能將圖案尺寸縮小到單次 DUV 曝光能達到的尺寸。當然也有問題,如低良率及處理器生產成本增加。

儘管美國制裁華為發展先進製程,任正非對官媒《人民日報》表示,無需擔心晶片問題。華為每年研發投資 1,800 億人民幣(約 250.7 億美元),單晶片仍落後美國一代。但中國用數學彌補物理學,用非摩爾定律彌補摩爾定律,用叢群運算彌補單晶片,也能達成實用條件。且軟體不是瓶頸。

(首圖來源:華為)

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