挑戰 6 奈米，聯電卡位先進製程市場

全球第四大晶圓代工大廠聯電（UMC）正積極評估進軍 6 奈米製程，藉此拓展高階晶片市場，尋求新的成長動能。消息人士指出，聯電正探索與英特爾進一步擴大合作的可能性，計劃從現有的 12 奈米合作基礎，延伸至 6 奈米，未來雙方也不排除在亞利桑那州展開更深層次的建廠合作。

6 奈米屬於先進製程，主要應用於 AI 加速器、無線通訊及車用晶片等領域，製程與前代仍有明顯差異。7 奈米是 EUV 光刻導入前的最後一代，普遍採用 DUV 多重曝光技術來進行細節刻蝕；而 6 奈米則被視為正式導入 EUV 光罩機的關鍵節點。

是否採購 EUV 設備，成為聯電是否進入 6 奈米製程的關鍵抉擇。EUV 光罩機單價高達 1.8 億至 4 億美元，交期動輒超過一年，且需搭配高度潔淨室與專業維護等基礎設施。若選擇以 DUV 搭配多重曝光進行 6 奈米生產，不僅製程更為冗長，良率也可能明顯下滑，對聯電一貫以高良率著稱的代工模式將構成挑戰。此外，6 奈米線寬更小，製程控制與缺陷率管理難度也相對提高。

目前晶圓代工龍頭台積電技術領先業界，持續推進至埃米等先進節點，具備 6~7 奈米製程能力的業者僅有三星與中芯國際等少數幾家。日本代工廠 Rapidus 則選擇跳過此階段，直接投入 2 奈米製程開發。

業界估算，建置具備月產兩萬片晶圓能力的 6 奈米產線，總資本支出可能高達 50 億美元。聯電是否能順利切入此領域，仍取決於是否擁有足夠客戶支撐投入。聯電財務長劉啟東表示，若公司決定進軍 6 奈米，將傾向採取「資產輕量化」策略，尋求策略夥伴共擔風險，避免承擔整體設備與產能壓力。