三星將展示 HBM4，年底啟動量產

據《서울경제（SeDaily）》報導，三星電子將在本月底登場的「2025 三星技術展（Samsung Tech Fair）」上，展示第六代高頻寬記憶體（HBM4），並計劃於今年底啟動量產。

相較於前一代 HBM3e，三星過去在品質與 NVIDIA 認證速度上一度落後於 SK hynix 與 Micron，而整體 HBM 市場也長期由 SK hynix 占據主導地位。此次 HBM4 的亮相，被視為三星加速追趕、試圖以更快的量產節奏與更成熟的技術重新奪回領先權的關鍵一步。

業界預期，HBM4 將成為支撐下一代 AI 加速器與超大型資料中心（Hyperscale Data Center）的核心記憶體。若三星能在良率與供應穩定性上率先突破，將有望在生成式 AI 時代與 SK hynix 並駕齊驅。根據產業觀察，HBM4 不僅在堆疊層數上實現創新，也將傳輸速率提升至 9 Gbps 以上，頻寬較 HBM3e 提升逾四成，顯示三星已接近量產成熟階段。

隨著 AI 模型規模持續擴張，以及高效能運算（HPC）系統對頻寬與能效需求不斷攀升，HBM4 的量產進度將直接影響 NVIDIA、AMD 等主要 AI 晶片供應鏈的布局。市場分析指出，若三星能如期在今年底啟動量產，將有助於其在 2025 年重返 AI HBM 記憶體主流供應陣營，扭轉近年由 SK hynix 領先的市場格局。