SK 海力士 M15X 廠提前兩個月進設備，加速 HBM 晶片擴產

根據韓媒《TheElec》報導，SK 海力士已經在新晶圓廠 M15X 中安裝首批設備，比原定計畫提前了兩個月。

報導稱，SK 海力士原預計於 12 月開始進場設備，而提前執行可能是為了擴大高頻寬記憶體（HBM）產能擴張的步伐。

SK 海力士為興建 M15X 投入超過 20 兆韓圜，該廠位於 M15 附近，並專注於生產 1b DRAM，用作 HBM3E 的核心晶片。

消息人士透露，M15X 初期月產能為 3.5 萬片晶圓，未來預計可擴充至 5.5 萬至 6 萬片。 SK 海力士自去年底開始為該廠下訂設備，部分韓國利川廠區的 DRAM 員工已調往忠州新廠，協助安裝設備並進行量產準備。

M15X 擁有比現有廠房更大的無塵室，因為 HBM 製程需要比傳統 DRAM 更高的空間與設備容量。 消息人士表示，除了 M15X 外，SK 海力士也正同步籌備龍仁新廠以及美國印第安納州的先進封裝廠。

SK 海力士上個月已宣布完成 HBM4 的開發，並已準備好量產。

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（首圖來源：科技新報）

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