採中芯國際 N+3 製程與自研 HBM 架構,華為昇騰 950 AI 晶片亮相

作者 | 發布日期 2025 年 12 月 15 日 11:45 | 分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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採中芯國際 N+3 製程與自研 HBM 架構,華為昇騰 950 AI 晶片亮相

中國華為新一代昇騰 (Ascend) 950人工智慧晶片日前首次曝光,全面展示了該公司在客製化晶片和高頻寬記憶體(HBM)領域的最新進展,代表著其在系統級 AI 運算市場上對領先廠商的強勢挑戰。昇騰 950 系列不僅採用了華為自研的晶片,更結合了華為首款自行開發的 HBM 記憶體,強調了其供應鏈自主化的決心。

鎖定系統級運算規模,挑戰單晶片性能差距

根據外媒 Techpowerup 的報導,儘管目前在單晶片性能上,華為仍略微落後於輝達 (NVIDIA) 等競爭對手,但華為的競爭策略著重於透過系統級規模解決方案來達到競爭力。該公司的戰略核心在於密集封裝和積極的網路連接,而非單純依賴原始的單晶片算力性能。

昇騰 950 家族預計將於 2026 年初正式推出,並預計推出兩種主要型號,以滿足不同運算需求。

  1. 950PR 型號:配備 128 GB 的內部 HBM 記憶體,頻寬約為1 .6 TB/s。
  2. 950DT 型號:記憶體容量提升至 144 GB,同時頻寬大幅躍升至近 4 TB/s。

性能目標方面,這兩款晶片均以達成 FP8 精度下的 1 PetaFLOP 和 FP4 精度下的 2 PetaFLOPS 為目標。

先進製程與多晶片架構揭密

在製程選擇上,雖然官方細節尚未公布,但基於市場推斷,昇騰 950 晶片極有可能採用中芯國際(SMIC)最新的 N+3 節點進行製造。由於 N+3 節點具備 5 奈米等級的製程特性,而中芯國際已利用深紫外曝光(DUV)技術達成了其最新號稱 5 奈米節點的大量生產的情況下,且華為的 Kirin 9030 SoC 是 N+3 節點製程的首個客戶。因此,將更為重要的昇騰 950 晶片置於同一生產節點進行製造是合理的判斷。

在物理設計上,昇騰 950 晶片採用了複雜的多晶片模組(MCM)架構。初步觀察顯示,該模組結合了兩個主運算晶片,並包含兩個額外的小晶片。這兩個額外的小晶片很可能充當 I/O 和網路連接模組,負責與外部系統進行高速通訊。

自研記憶體與超大規模互連

至於,昇騰 950 晶片的關鍵技術亮點之一是其記憶體模組。其在核心的記憶體元件,類似於 LPDDR 與 HBM 的混合體,這被認為是華為自行研發的 HBM 記憶體。華為很可能將這些 HBM 模組作為獨立的晶片進行封裝,並直接堆疊在整個封裝基板之上。

而為了達到系統級的競爭優勢,這些加速器設計用於構建大規模的 SuperPoDs(超級運算單元)和 SuperClusters(超級叢集)。晶片之間的互連將依賴於全新的「靈渠」(Lingqu)互連協定和光學鏈路技術。這套先進的互連系統目的在連接數十萬張騰昇 950 運算卡,進而建立起極具競爭力的大型 AI 運算基礎設施。

昇騰 950 晶片的登場,不僅展示了華為在先進製程受限環境下追求 AI 晶片自主研發的決心,也確立了其透過整體系統規模和高效互連來追趕並挑戰全球頂級 AI 硬體市場的戰略方向。

(首圖來源:華為)

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