恩智浦淡出射頻氮化鎵，關閉亞利桑那州錢德勒晶圓廠

根據外媒報導，荷蘭半導體大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors Inc.）於上週正式宣布一項重大戰略調整，計劃停止其射頻功率（radio power）產品線的生產，並預計在2027年之前關閉其位於亞利桑那州錢德勒（Chandler）的射頻氮化鎵（RF GaN）晶圓廠。

針對現階段恩智浦的射頻功率產品線，核心業務以服務電信基礎設施部門，主要為蜂窩基站供應射頻功率元件的內容，根據公司發言人向外媒的說明指出，恩智浦決定退出射頻功率市場，並縮減其在亞利桑那州錢德勒ECHO GaN晶圓廠的營運規模，主要是由於市場環境的變化。其中，關鍵因素包括移動運營商在該領域缺乏投資報酬率（ROI），以及全球5G基地台的部署數量低於最初的預期。

報導表示，恩智浦半導體旗下位於錢德勒的ECHO晶圓廠，正是製造基於氮化鎵晶片的5G設備功率放大器（power amplifiers）的重要設施。目前，恩智浦已經同步告知員工，公司計劃縮減錢德勒 ECHO GaN 晶圓廠的營運。市場預期，此動作也正代表著恩智浦在電信基礎設施射頻功率元件市場淡出的決定。

(首圖來源:官網)