ASML 壟斷地位動搖？中國打造國產 EUV 原型機

根據路透社消息指出，中國已成功打造出一套可實際運作的國產 EUV 原型機，目前正進入測試與驗證階段。這是中國在半導體設備自主化道路上的關鍵進展，若後續驗證順利，外界預期最快可於 2030 年前實現 EUV 製程晶片流片（tape-out），時程明顯早於市場過往預期。

綜合外電報導，這套 EUV 原型機已能穩定產生 13.5 奈米極紫外光源，具備進行晶圓曝光的基本能力。不過，該設備目前尚未完成實際晶片流片，仍處於系統整合與可靠度測試階段。報導也指出，中國工程團隊在研發過程中，大量使用來自舊款 ASML EUV 設備的零組件，相關零件主要透過次級市場取得。

這台國產 EUV 原型機體積龐大，幾乎占滿整個廠房空間，在尺寸與系統複雜度上，已可與 ASML 現行的 High-NA EUV 微影設備相提並論。儘管仍仰賴既有國際設備的零組件，但在短時間內完成系統整合，仍被業界形容為「超出預期的進展」。

主導該 EUV 專案的核心角色為華為。在美國高科技出口管制持續收緊的背景下，華為正積極建立一套完全自主的 AI 與先進半導體供應鏈。報導指出，華為已在中國觀瀾設立完整的半導體製造設施，用於生產自家客製化處理器，製程節點達 7 奈米。

由於中芯國際先進製程產能受限，華為已進一步接手整個矽晶生產鏈，從材料與化學品供應、晶圓製造設備，到晶片設計與封裝測試，全面內部化布局。這種垂直整合策略，被視為中國在半導體領域「以系統換時間」的代表作法。

報導指出，接下來幾個季度，中國相關企業的關鍵任務，在於確保這套 EUV 系統能在實際製程中穩定運作，並克服解析度、產能穩定性以及與既有半導體製程整合等核心挑戰。

• Chinese EUV Lithography Machine Prototype Reportedly Undergoing Testing
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（首圖來源：asml）