DDR5 高獲利放大產能排擠效應,2026 年 HBM3e 定價動能同步轉強

作者 | 發布日期 2025 年 12 月 18 日 14:50 | 分類 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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DDR5 高獲利放大產能排擠效應,2026 年 HBM3e 定價動能同步轉強

根據 TrendForce 最新調查,近期因記憶體市況呈現供不應求,帶動一般型 DRAM(conventional DRAM)價格急速攀升,儘管 HBM3e 受惠於 GPU、ASIC 訂單同步上修,價格也隨之走揚,預期未來一年 HBM3e 和 DDR5 的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。

TrendForce表示,2025年5月NVIDIA率先與三大DRAM供應商展開2026年採購協商,當時在買方主導定價的情況下,2026年HBM3e的初始採購單價顯著低於2025年水準。

然而,記憶體市場供需情況於2025年第三季開始快速反轉,由於AI相關的server佈建需求優於預期,各大雲端服務供應商(CSP)擴大server DDR5備貨,同時擬定2026-2027年的採購計畫,形成市場缺貨格局,故DRAM供應商大幅提高產品售價。TrendForce指出,2025年第四季server DDR5合約價季增幅度已遠超市場預期,其晶圓獲利也將轉強,與HBM3e的價差將快速收斂。HBM3e價格原高出server DDR5四至五倍,預期至2026年末,差距將縮小為一至二倍。

另一方面,隨著Conventional DRAM獲利逐步上升,部分供應商產能開始傾向DDR5,給予HBM3e更大漲價空間。在GPU與ASIC需求上調後,主要買家皆追加HBM3e採購以因應來年的AI系統建置。綜合以上因素,供應商重新獲得定價主導權,開始調整先前過低的合約價,預計2026年HBM3e整體ASP將略微上修。

(首圖來源:美光

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