擴充 DRAM 產能,美光以 18 億美元收購力積電銅鑼廠

作者 | 發布日期 2026 年 01 月 17 日 17:29 | 分類 AI 人工智慧 , 記憶體 , 財經 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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擴充 DRAM 產能,美光以 18 億美元收購力積電銅鑼廠

美光科技(Micron)稍早宣布,已與力積電簽署獨家意向書(LOI),將以 18 億美元現金收購力積電位於苗栗銅鑼的 P5 晶圓廠,並同步展開策略合作關係。這不僅是美光擴充 DRAM 產能的重要布局,也成為力積電推動轉型、加速切入 AI 記憶體供應鏈的關鍵一步。

據美光公告,雙方這次交易涵蓋一座 300mm(12 吋)晶圓廠,無塵室面積約 30 萬平方英尺。交易完成後,美光將分階段導入設備、擴充 DRAM 產能,預計自 2027 年下半年起,對其 DRAM 晶圓產能帶來顯著貢獻。該廠區鄰近美光既有的台中據點,未來有助於形成營運與供應鏈上的整體綜效。

值得注意的是,此次合作不僅止於廠房與產能移轉;意向書亦明確指出,雙方將建立長期合作關係,由力積電承接美光 DRAM 晶圓後段組裝製程(post-wafer assembly processing),並持續精進其既有的利基型 DRAM 產品線。這代表力積電角色將從傳統成熟製程代工,逐步轉向高附加價值的記憶體製程與供應鏈環節。

據了解,美光此次合作亦同步釋出關鍵技術資源,已授權力積電新竹廠導入新的 DRAM 製程技術,包含 1Ynm 與 1Znm 世代製程。這被視為力積電正式取得先進 DRAM 製程門票的重要指標,也為其後續切入 AI 與高效能運算(HPC)應用奠定技術基礎。

此外,力積電亦將在此次合作架構下,協助美光相關 HBM(高頻寬記憶體)產品的代工與後段製程需求,雖然並非直接參與 HBM 前段核心製程,但透過後段製程、封裝與產線支援,實質嵌入 AI 伺服器與加速器所需的關鍵記憶體供應鏈。

在 AI 應用快速推升記憶體規格與供應門檻的背景下,HBM、先進 DRAM 製程已成為產業競爭焦點。對力積電來說,透過與美光的深度合作,不僅可避開成熟製程價格競爭,也有機會藉由技術授權與製程分工,提升在 AI 記憶體生態系中的戰略地位。

美光全球營運執行副總裁 Manish Bhatia 指出,此次銅鑼廠收購將與美光現有在台營運形成互補,有助於在全球記憶體需求持續高於供給的情況下,更有效服務客戶。隨著 AI、資料中心與高效能運算應用持續擴大,相關記憶體供應鏈的布局速度也正同步加快。

(首圖來源:科技新報)

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