三星德州泰勒廠一期導入 EUV 設備，下半年啟動 2 奈米 GAA 量產

三星電子加速美國先進製程布局，正式推進德州 Taylor 晶圓廠一期（Plant 1）的關鍵設備導入。根據wccftech 報導，三星將於今年 3 月啟動 EUV 設備試運轉，Taylor 廠一期將做為 2 奈米 GAA 製程的核心測試與量產基地，並規劃於 2026 年下半年正式啟動量產。

報導指出，Taylor 廠一期將負責 EUV 相關的蝕刻、沉積與製程整合作業，三星也派遣相關人員進駐當地，確保 EUV 設備運送、安裝與調校流程順利進行。為加快建廠進度，三星目前已在現場動員約 7,000 名人員，並計畫在完工後由一棟六層樓廠房容納約 1,000 名員工。

先前三星已與特斯拉簽署 165 億美元合作協議，未來特斯拉自駕晶片 AI5 與 AI6 將於 Taylor 廠生產。不過，是否同步承接 Exynos 2600 或其他 SoC 產品，目前尚未有明確資訊。

由於 2 奈米 GAA 製程高度仰賴 EUV 設備，三星此舉也被視為提升先進製程良率的關鍵一步。先前韓媒報導，三星目前先進製程良率約落在 50% 左右，而單台 EUV 設備造價高達 5,000 億韓圜（約 3.39 億美元），投資金額相當可觀。儘管三星晶圓代工事業仍面臨虧損壓力，但公司目標在 2027 年前達成轉盈，EUV 導入被視為不可或缺的關鍵投資。

值得注意的是，根據報導三星已在 Taylor 廠區預留足夠空間，未來最多可擴建至 10 座晶圓廠。