外媒報導，全球半導體競爭日趨白熱化的背景下，中國最大的 NAND Flash 快閃記憶體製造商──長江存儲（YMTC）正以驚人的速度推進其產能擴張計畫。據最新消息指出，長江存儲位於中國武漢的第三期投資項目正採取「史無前例」的快速建設策略，原定於2027年才能達成的大規模量產目標，有望提前至2026年下半年正式啟動。
長江存儲的武漢三廠於2025年 9 月才正式動工，按照常規半導體建廠週期，外界原先預估該廠要等到2027年才能具備正式量產能力。然而，來自中國當地的半導體業界人士透露，長江存儲近期已開始密集進行 NAND Flash 生產設備的採購訂單發送與工廠啟動設置作業，顯示其時程表已大幅調整。
消息人士分析指出，從動工到開始量產僅歷時約一年，這在業界極為罕見。這意味著長江存儲採取了一種彎道超車的戰略，即在工廠主體建築尚未完全完工的情況下，就同步搬入部分設備並進行生產線的早期調試與運作。
而這種極速擴產的背後，是長江存儲為了在 NAND Flash 市場迎接超級循環週期（Super Cycle）時強化自身全球地位的精心佈局。與市場供應商相對集中的 DRAM 領域不同，NAND Flash 市場競爭者眾多，除了三星電子、SK 海力士、美光（Micron）之外，還包括日本的鎧俠（Kioxia），以及中國的長江存儲等。儘管當前受惠於人工智慧（AI）熱潮，市場需求壓倒性地大於供給，但由於供應商眾多，價格競爭的風險始終存在，這迫使長江存儲必須以速度換取市場空間。
報導指出，除了產能擴張速度驚人，長江存儲在技術層面的突破同樣引發關注。近期有分析指出，長江存儲在 NAND Flash 的生產技術實力上，已幾乎追上三星電子與 SK 海力士等行業大廠。具體數據顯示，長江存儲目前已掌握 270 層 3D NAND Flash 的生產技術。雖然與三星電子的 286 層及 SK 海力士的 321 層技術相比仍有微小差距，但這一鴻溝正在被快速縮小。更為關鍵的是，受惠於長期的資本投入，以及積極延攬外部專家，長江存儲在生產良率與穩定性方面獲得了高度評價，被認為已具備與全球領先企業一較高下的實力。
值得注意的是，長江存儲此次積極的擴產行動，是在美國商務部將其列入實體清單（Entity List）、嚴格限制其進口尖端製造設備的背景下進行的。儘管面臨外部制裁壓力，長江存儲仍於2025 年 9 月毅然啟動武漢三期工廠建設，展現了在 NAND Flash領域持續崛起的態勢。
中國當地業者分析，長江存儲之所以選擇此時發力，是因為洞察到了競爭對手的戰略重心轉移。一位業界人士表示，長江存儲將2026年視為擴大 NAND Flash市場占有率的黃金時刻。其由於三星電子與 SK 海力士2026年將主要資源與重心傾斜至利潤更高的 DRAM 以及 AI 專用的高頻寬記憶體（HBM）領域，這給了長江存儲在 NAND Flash 市場攻城掠地的絕佳機會。在技術能力提升、產能擴大，以及中國政府將其視為在地企業重點支援對象的多重因素加持下，預計在未來 1 至 2 年內，長江存儲在全球 NAND 市場的影響力將顯著增強。
目前，長江存儲的強勢崛起已直接反映在市場數據上。根據市場研究機構 Counterpoint Research 的統計，以 NAND 出貨量為基準，長江存儲的全球市占率在2025年第一季首度突破 10% 大關。隨後的成長的趨勢不減，至2025年第三季，其市占率已攀升至 13%，較前一年同期大幅成長了 4 個百分點。
這一統計資料具有里程碑意義，標誌著長江存儲的市場占比已逼近全球排名第四的美國美光科技（Micron），顯示出中國NAND Flash的勢力正從「追隨者」向「主要玩家」的角色轉變。因此，長江存儲透過武漢三廠的加速量產，不僅意在突破技術與貿易壁壘的封鎖，更試圖在全球記憶體產業格局重組的關鍵窗口期，確立其不可忽視的市場地位。隨著2026年下半年新產能的釋放，全球 NAND Flash 市場的競爭版圖恐將迎來新一輪的劇烈變動。
(首圖來源：長江存儲)
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