SK 海力士加速 HBM4 量產布局，因應輝達 Vera Rubin 供貨需求

根據韓國媒體報導，SK 海力士正加速推進第六代 HBM4 量產計畫，因應輝達次世代 AI 加速器「Vera Rubin」即將到來的供貨需求。隨著雙方針對 HBM4 的品質驗證進入收尾階段，SK 海力士同步啟動 10 奈米級第五代（1b）DRAM 的量產準備，強化後續放量出貨能力。

韓國業界指出，SK 海力士最快將於本月啟動 HBM4 所需 1b DRAM 的量產爬坡（ramp-up）。相關產能除用於回應輝達提出的樣品需求外，也為後續 Vera Rubin 正式量產階段的 HBM4 供應提前布局。

為支撐未來出貨規模，SK 海力士除增加晶圓投片外，也規劃擴建清州 M15x 廠區，並推動 M16 廠製程轉換，目標在今年底前新增每月約 4 萬片晶圓的產能水準。

市場分析指出，SK 海力士是在內部評估已大致滿足輝達最新上調的 HBM4 性能規格後，才進一步拉快量產進度。該公司雖於去年 9 月率先對外宣布建立 HBM4 量產體系，但隨著輝達針對傳輸速度、功耗等關鍵指標持續提高要求，期間曾多次進行設計調整，使實際量產節奏較原先規畫略有延後。

至於競爭對手三星電子宣布自 2 月起啟動 HBM4 量產供應，圍繞 HBM4 的供貨時程競賽明顯升溫。儘管今年的 HBM4 供應合約多已於去年完成簽訂，但誰能率先向輝達交付最終完全符合性能要求的產品，仍被視為檢驗各家記憶體廠現階段技術成熟度的重要指標。

三星電子於 HBM4 中導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM，並在作為 HBM4 核心的邏輯晶片上採用 4 奈米製程，展現其在製程世代與架構設計上的優勢；相較之下，SK 海力士則將競爭重心放在良率與量產穩定度，期望透過成熟製程與穩定出貨表現，在實際商業化階段取得優勢。

HBM4 採用多達 12 顆先進 DRAM 堆疊，單顆 DRAM 的製程良率對整體產品至關重要。一旦 DRAM 良率低於約 90%，最終 HBM4 成品良率將大幅下滑，進而影響價格競爭力與整體獲利能力。在此背景下，SK 海力士試圖以穩定良率與量產效率，抵銷在製程世代上的差距，確保 HBM4 具備足夠的商業可行性。

業界分析，考量輝達次世代 AI 加速器的上市時程，核心零組件 HBM4 預期須自 2 月起逐步進入實質供貨階段。在三星電子已表態具備量產出貨能力的情況下，SK 海力士勢必進一步擴大量產規模，以回應輝達對供貨數量與穩定性的要求，並藉由實際出貨表現消弭市場對性能與供應的疑慮。