Tag Archives: 1c DRAM

SK 海力士加速 HBM4 量產布局，因應輝達 Vera Rubin 供貨需求

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 02 月 04 日 16:53 |

分類半導體 , 記憶體

根據韓國媒體報導，SK 海力士正加速推進第六代 HBM4 量產計畫，因應輝達次世代 AI 加速器「Vera Rubin」即將到來的供貨需求。隨著雙方針對 HBM4 的品質驗證進入收尾階段，SK 海力士同步啟動 10 奈米級第五代（1b）DRAM 的量產準備，強化後續放量出貨能力。繼續閱讀..

韓媒：三星不再便宜賣，HBM4 要與海力士同價、搶進輝達供應鏈

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 11 月 27 日 14:30 |

分類 Nvidia , Samsung , 半導體

根據韓媒 Dealsite 報導，三星電子與輝達的 HBM4 價格協商進入收尾，內部訂下「與 SK 海力士同價」做為談判目標。由於 HBM4 供不應求，三星無意再以低價搶單，並規劃在 2026 年底前將 1c DRAM 產能擴增至月 15 萬片。繼續閱讀..

三星擴大 1c DRAM 產能，明年月投片量拚 20 萬片

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 11 月 19 日 10:45 |

分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

三星電子全面啟動下一代 DRAM 擴產計畫。韓媒《ET News》報導，三星預計在明年底前將 10 奈米級第六代 DRAM（1c DRAM）月產能擴大至 20 萬片，遠高於目前既有規模。繼續閱讀..

三星加速導入 1c DRAM 設備，全力趕上 HBM4 量產時程

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 11 月 04 日 16:00 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

據《DealSite》報導，三星電子正加速導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 設備，目標在明年初啟動 HBM4 量產，努力追趕已率先與輝達簽署供應合約並進入量產階段的 SK 海力士。繼續閱讀..

韓媒：三星考慮解散 1c DRAM 專案小組，良率未過半仍推進 HBM4 量產

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 10 月 15 日 13:30 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

根據朝鮮日報報導，三星電子內部正討論解散負責 1c DRAM 良率優化的專案小組（TF），將人力與資源全面轉向 HBM4 量產準備，力拚在年底前打入 NVIDIA 供應鏈，重奪高階記憶體市場的主導權。繼續閱讀..

韓媒：三星來了！1c DRAM 良率突破 50%，HBM4 下半年量產

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 18 日 15:35 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

三星電子傳出已成功突破 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程的良率門檻，達到超過 50%，計劃導入第六代 HBM（HBM4），並在下半年量產。繼續閱讀..

爭取 HBM4 獲輝達驗證？傳三星重設計 1c DRAM 製程

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 02 月 12 日 15:45 |

分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

三星電子（Samsung Electronics Co.）據傳重新設計第 6 代 1c 製程 DRAM 來改善良率，這對即將推出的第六代高頻寬記憶體（HBM）「HBM4」產量能否穩定至關重要。